近期，三星電子在一場(chǎng)業(yè)績(jī)發(fā)布會(huì)上揭曉了其內(nèi)存技術(shù)的最新進(jìn)展。據(jù)悉，該公司已成功向主要客戶(hù)交付了第五代高帶寬內(nèi)存HBM3E的改進(jìn)版本樣品，并預(yù)計(jì)從第二季度開(kāi)始，將逐步擴(kuò)大該產(chǎn)品的銷(xiāo)售規(guī)模。

盡管一季度因尖端半導(dǎo)體出口管制的影響，HBM的銷(xiāo)售額觸及了低谷，但三星電子對(duì)未來(lái)充滿(mǎn)信心。公司存儲(chǔ)業(yè)務(wù)部的副社長(zhǎng)透露，隨著新產(chǎn)品的放量上市，預(yù)計(jì)季度業(yè)績(jī)將呈現(xiàn)階梯式的復(fù)蘇態(tài)勢(shì)。

同時(shí)，三星電子還透露了下半年的重要計(jì)劃。公司將全力推進(jìn)第六代產(chǎn)品HBM4的量產(chǎn)工作，并預(yù)計(jì)在2025年實(shí)現(xiàn)規(guī)模化銷(xiāo)售。針對(duì)市場(chǎng)高度關(guān)注的定制化HBM，三星正積極與多家客戶(hù)基于HBM4及第七代HBM4E平臺(tái)展開(kāi)合作洽談，部分定制項(xiàng)目有望在2026年與標(biāo)準(zhǔn)版HBM4同步上市。

從財(cái)報(bào)數(shù)據(jù)來(lái)看，三星一季度存儲(chǔ)業(yè)務(wù)營(yíng)收達(dá)到了19.1萬(wàn)億韓元，環(huán)比下降了17%，但同比卻增長(zhǎng)了9%。盡管HBM銷(xiāo)售下滑對(duì)業(yè)績(jī)?cè)斐闪艘欢ㄍ侠?，但服?wù)器用DRAM需求的增長(zhǎng)以及NAND采購(gòu)的回暖為業(yè)績(jī)帶來(lái)了亮點(diǎn)。展望二季度，公司預(yù)計(jì)DRAM產(chǎn)品價(jià)格將迎來(lái)復(fù)蘇，移動(dòng)端和PC領(lǐng)域的位元增長(zhǎng)率有望突破10%，NAND價(jià)格的跌幅也將逐漸收窄。

在代工業(yè)務(wù)方面，三星也坦誠(chéng)地分享了面臨的挑戰(zhàn)。受手機(jī)、PC市場(chǎng)持續(xù)疲軟的影響，一季度產(chǎn)能利用率下降導(dǎo)致虧損擴(kuò)大。然而，通過(guò)聚焦2納米、4納米高性能計(jì)算（HPC）及AI芯片訂單，先進(jìn)制程（5納米及以下）的訂單量實(shí)現(xiàn)了環(huán)比增長(zhǎng)。技術(shù)部門(mén)進(jìn)一步透露，2納米第一代工藝已完成可靠性評(píng)估，計(jì)劃二季度啟動(dòng)量產(chǎn)，并加速推進(jìn)2納米第二代及3納米工藝的優(yōu)化工作。