在近期舉辦的Foundry Direct Connect 2025大會(huì)上，英特爾新任首席執(zhí)行官陳立武披露了公司在半導(dǎo)體工藝領(lǐng)域的最新進(jìn)展。據(jù)透露，英特爾的18A工藝節(jié)點(diǎn)已成功邁入風(fēng)險(xiǎn)生產(chǎn)階段，預(yù)計(jì)將于2025年末正式投入量產(chǎn)。與此同時(shí)，該工藝的增強(qiáng)版本——18A-P，已在晶圓廠順利運(yùn)行并產(chǎn)出首批早期晶圓。

陳立武還進(jìn)一步分享了18A工藝的衍生版本18A-PT的信息。據(jù)悉，18A-PT將采用一種名為Foveros Direct的3D堆疊技術(shù)，這種技術(shù)類似于3D V-Cache，能夠?qū)崿F(xiàn)垂直晶圓堆疊，從而在關(guān)鍵互連密度方面與業(yè)界領(lǐng)先者臺(tái)積電的產(chǎn)品相抗衡。

英特爾還揭曉了14A工藝節(jié)點(diǎn)的最新動(dòng)態(tài)。作為18A的繼任者，14A（等效于1.4納米）預(yù)計(jì)將于2027年面世，并開創(chuàng)性地采用High-NA EUV光刻技術(shù)。與18A相比，14A在能效方面預(yù)計(jì)將提升15%至20%，芯片密度將增加約30%，同時(shí)功耗也將進(jìn)一步降低。

為了響應(yīng)市場(chǎng)對(duì)先進(jìn)封裝技術(shù)的需求，英特爾代工服務(wù)將推出系統(tǒng)級(jí)集成服務(wù)。該服務(wù)將依托Intel 14A和Intel 18A-P制程節(jié)點(diǎn)，結(jié)合Foveros Direct（3D堆疊）和EMIB（嵌入式多芯片互連橋接）技術(shù)，為客戶提供連接解決方案。不僅如此，英特爾還計(jì)劃推出多項(xiàng)新的先進(jìn)封裝技術(shù)，包括面向未來(lái)高帶寬需求的EMIB-T，以及在Foveros 3D領(lǐng)域的Foveros-R和Foveros-B，為客戶提供更多高效且靈活的選擇。

根據(jù)英特爾的官方路線圖，18A-P將于2026年推向市場(chǎng)，而18A-PT則需等到2028年。至于14A節(jié)點(diǎn)，則將在2027年到來(lái)，并伴隨有14A-E工藝的推出。在行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)方面，臺(tái)積電的2納米（N2）工藝預(yù)計(jì)將于2025年下半年量產(chǎn)，性能提升10%至15%，功耗降低25%至30%。值得注意的是，英特爾的14A節(jié)點(diǎn)預(yù)計(jì)將比臺(tái)積電同類產(chǎn)品提前一年推出，并且首次采用High-NA EUV技術(shù)，這無(wú)疑為英特爾在半導(dǎo)體工藝領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)增添了新的籌碼。