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三星DDR5 CUDIMM內(nèi)存上市,6400MT/s速率僅售599元

   發(fā)布時間:2025-03-25 09:08 作者:蘇婉清

三星近期發(fā)布了一款全新的原廠DDR5 CUDIMM內(nèi)存,這款內(nèi)存以單條16GB的容量設(shè)計亮相市場,定價親民,僅為599元。

這款內(nèi)存嚴(yán)格遵循JEDEC固態(tài)存儲協(xié)會的最新標(biāo)準(zhǔn),內(nèi)部構(gòu)造精密,集成了8顆高性能的16GB P-Die顆粒。其運(yùn)行電壓被優(yōu)化至1.1V,時序參數(shù)達(dá)到CL52-52-52,數(shù)據(jù)傳輸速率驚人地達(dá)到了6400MT/s。與市面上的傳統(tǒng)DDR5內(nèi)存相比,這款新品在速度上實現(xiàn)了約15%的顯著提升。

三星方面詳細(xì)闡述了這款內(nèi)存的制造工藝和技術(shù)亮點。P-Die顆粒采用了先進(jìn)的10nm級工藝,并結(jié)合了極紫外光刻(EUV)技術(shù),進(jìn)一步融入了高電介質(zhì)金屬柵極(HKMG)技術(shù)。這些創(chuàng)新技術(shù)的應(yīng)用,不僅大幅度提升了內(nèi)存的運(yùn)行效率,還有效降低了功耗,為用戶帶來更加出色的使用體驗。

JEDEC在2024年1月正式發(fā)布了CUDIMM內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)(編號為JESD323)。這一標(biāo)準(zhǔn)是在傳統(tǒng)無緩沖UDIMM內(nèi)存的基礎(chǔ)上,通過技術(shù)革新而發(fā)展出來的。其核心亮點在于集成了時鐘驅(qū)動器(CKD),這一組件負(fù)責(zé)接收來自CPU或內(nèi)存控制器的時鐘信號,并將其轉(zhuǎn)化為干凈、穩(wěn)定的信號,從而有效驅(qū)動DRAM芯片。

這一技術(shù)突破對于內(nèi)存性能的提升具有重要意義。它不僅將內(nèi)存的極限頻率推向了新的高度,還顯著增強(qiáng)了系統(tǒng)的整體穩(wěn)定性。這意味著,即使在更高的頻率下運(yùn)行,內(nèi)存也能保持出色的穩(wěn)定性和可靠性,為用戶帶來更加流暢和高效的使用體驗。

 
 
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