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群聯(lián)發(fā)布Pascari X200Z企業(yè)級SSD:60DWPD耐寫,接近SCM延遲

   發(fā)布時間:2025-05-21 12:27 作者:顧青青

在2025年度的臺北國際電腦展盛會上,群聯(lián)電子震撼發(fā)布了一款專為高寫入需求設(shè)計(jì)的旗艦級企業(yè)級固態(tài)硬盤——Pascari X200Z,該產(chǎn)品標(biāo)志著群聯(lián)在性能優(yōu)化領(lǐng)域取得了新的里程碑。

Pascari X200Z固態(tài)硬盤是群聯(lián)針對生成式人工智能和實(shí)時數(shù)據(jù)分析等高寫入耐用性應(yīng)用場景的精心之作。它搭載了PCIe 5.0 2×2雙端口技術(shù),完美兼容NVMe 2.0協(xié)議,實(shí)現(xiàn)了接近存儲級內(nèi)存的響應(yīng)速度,同時保證了每天60次全盤覆寫(60DWPD)的卓越耐用性。

這款旗艦產(chǎn)品的核心技術(shù)基于先進(jìn)的3D TLC NAND閃存,采用了U.2接口標(biāo)準(zhǔn),盡管在容量上僅推出了800GB、1.6TB和3.2TB三個相對較小規(guī)格,但在性能方面卻毫不妥協(xié)。

Pascari X200Z的順序讀取速度高達(dá)14800MB/s,寫入速度也達(dá)到了驚人的9500MB/s。在隨機(jī)讀寫性能方面,它同樣表現(xiàn)出色,隨機(jī)讀取IOPS高達(dá)3100K,隨機(jī)寫入IOPS則達(dá)到了950K。其隨機(jī)讀寫延遲也極低,分別為45微秒和10微秒,為用戶帶來了極致的存儲體驗(yàn)。

群聯(lián)此次發(fā)布的Pascari X200Z固態(tài)硬盤,不僅展現(xiàn)了群聯(lián)在固態(tài)硬盤技術(shù)領(lǐng)域的深厚積累,也為高寫入密集型應(yīng)用場景提供了全新的解決方案。這款產(chǎn)品無疑將成為企業(yè)級存儲市場的一顆璀璨明星。

 
 
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