近期，美光科技的高管在出席一次行業(yè)分析會(huì)議時(shí)透露了公司的最新動(dòng)態(tài)。執(zhí)行副總裁兼首席財(cái)務(wù)官M(fèi)ark Murphy在會(huì)上宣布，美光的12層堆疊HBM內(nèi)存產(chǎn)品（型號(hào)為12Hi HBM3E）即將進(jìn)入大規(guī)模生產(chǎn)階段。

據(jù)美光方面介紹，這款12Hi HBM3E產(chǎn)品在性能上具備顯著優(yōu)勢(shì)。與市場(chǎng)上的競(jìng)品相比，其容量高出50%，同時(shí)功耗降低了20%。這一突破性的進(jìn)展無(wú)疑將增強(qiáng)美光在高端內(nèi)存市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)力。

Mark Murphy進(jìn)一步表示，美光在HBM領(lǐng)域的目標(biāo)是實(shí)現(xiàn)與整體DRAM市場(chǎng)相當(dāng)?shù)氖袌?chǎng)占有率，即達(dá)到20%。即便當(dāng)前三星電子在HBM業(yè)務(wù)上遇到了一些挑戰(zhàn)，美光依然堅(jiān)定這一目標(biāo)。隨著HBM產(chǎn)能的提升，美光的整體財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)也有望得到顯著改善。

在NAND閃存方面，Mark Murphy透露了公司的不同策略。他指出，當(dāng)前NAND閃存行業(yè)的整體狀況依然疲軟。因此，美光決定放緩制程遷移的步伐，如推遲升級(jí)至最新的G9 278層節(jié)點(diǎn)，以降低供應(yīng)能力，從而加速庫(kù)存消耗。盡管面臨挑戰(zhàn)，但美光對(duì)2025年的市場(chǎng)前景持樂(lè)觀態(tài)度，預(yù)計(jì)整體情況將逐步好轉(zhuǎn)。

在財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)方面，Mark Murphy預(yù)計(jì)美光在2024財(cái)年第三財(cái)季（截至2025年3月末）的毛利率將有所下降。這主要是由于客戶(hù)端出貨規(guī)模的提升伴隨著產(chǎn)品價(jià)格的降低，以及NAND閃存市場(chǎng)的整體行情不佳所致。盡管面臨這些挑戰(zhàn)，但美光依然致力于通過(guò)技術(shù)創(chuàng)新和市場(chǎng)策略調(diào)整，保持其在半導(dǎo)體行業(yè)的領(lǐng)先地位。