德州儀器（TI）近日宣布，其位于日本會津的工廠正式啟動氮化鎵（GaN）功率半導體產(chǎn)品的生產(chǎn)。這一舉措標志著德州儀器GaN功率半導體的整體產(chǎn)能實現(xiàn)了四倍增長。
德州儀器技術(shù)和制造高級副總裁 Mohammad Yunus 透露，公司已成功驗證200mm GaN技術(shù)，并在會津工廠實現(xiàn)量產(chǎn)。這一技術(shù)被認為是當前最具可擴展性和成本競爭力的GaN制造方法。
隨著會津工廠的量產(chǎn)，德州儀器計劃到2030年將內(nèi)部制造率提升至95%以上，并確保GaN高功率、高能效半導體產(chǎn)品的穩(wěn)定供應。
德州儀器還成功進行了300mm晶圓GaN制造工藝的試點，這將使其能夠?qū)aN器件擴展至900V及更高電壓，開拓更多應用場景。
