SK 海力士近日宣布了一項(xiàng)重大技術(shù)突破，成功研發(fā)出搭載全球最高堆疊層數(shù)的321層1Tb TLC 4D NAND閃存的移動(dòng)端解決方案——UFS 4.1。這一創(chuàng)新成果標(biāo)志著SK 海力士在移動(dòng)存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域邁出了重要一步。

據(jù)SK 海力士介紹，為了滿足移動(dòng)設(shè)備端側(cè)AI穩(wěn)定運(yùn)行的需求，此次推出的NAND閃存解決方案不僅具備卓越的性能，還實(shí)現(xiàn)了低功耗。通過這款專為AI工作負(fù)載優(yōu)化的UFS 4.1產(chǎn)品，SK 海力士旨在進(jìn)一步強(qiáng)化其在旗艦智能手機(jī)市場的技術(shù)領(lǐng)先地位。

隨著端側(cè)AI需求的不斷增長，終端設(shè)備在計(jì)算性能與電池效率之間的平衡變得愈發(fā)關(guān)鍵。超薄設(shè)計(jì)和低功耗已成為當(dāng)今移動(dòng)設(shè)備行業(yè)的核心標(biāo)準(zhǔn)。SK 海力士此次推出的新品正是順應(yīng)了這一趨勢(shì)。

與上一代基于238層NAND閃存的產(chǎn)品相比，新品在能效方面提升了7%。同時(shí)，在產(chǎn)品設(shè)計(jì)上，SK 海力士成功將產(chǎn)品厚度從1mm減薄至0.85mm，使其完美適配超薄智能手機(jī)的需求。

在數(shù)據(jù)傳輸方面，該產(chǎn)品支持第四代UFS產(chǎn)品的順序讀取峰值，速率高達(dá)4300MB/s。尤為其隨機(jī)讀取和寫入速度相較于上一代產(chǎn)品分別提升了15%和40%，達(dá)到了UFS 4.1產(chǎn)品中的全球頂尖水平。這一提升對(duì)于移動(dòng)設(shè)備的多任務(wù)處理能力具有重要意義。

為了滿足不同用戶的需求，該產(chǎn)品提供了512GB和1TB兩種容量規(guī)格。SK 海力士表示，計(jì)劃在今年內(nèi)向客戶交付樣品進(jìn)行驗(yàn)證，并預(yù)計(jì)將于明年第一季度正式進(jìn)入量產(chǎn)階段。這一創(chuàng)新產(chǎn)品的推出，無疑將為智能手機(jī)市場帶來新的活力和可能性。