臺(tái)積電在半導(dǎo)體工藝領(lǐng)域的探索步伐從未停歇，不僅在全力推進(jìn)采用GAAFET全環(huán)繞晶體管的N2、A16、A14等先進(jìn)工藝，同時(shí)也致力于挖掘傳統(tǒng)FinFET立體晶體管的潛力。其N3系列工藝節(jié)點(diǎn)，作為該技術(shù)的最后一代，仍在持續(xù)演進(jìn)之中。

在近期于美國(guó)舉辦的北美技術(shù)論壇2025上，臺(tái)積電宣布了一項(xiàng)重要進(jìn)展：3納米級(jí)工藝的第三代——N3P，已于2024年第四季度成功投入量產(chǎn)。而更先進(jìn)的第四代N3X，也計(jì)劃在同年下半年進(jìn)入生產(chǎn)階段。

N3P作為N3E的升級(jí)版，專為追求高性能的客戶端及數(shù)據(jù)中心應(yīng)用而設(shè)計(jì)，同時(shí)保持了與前代工藝的IP與設(shè)計(jì)兼容性。據(jù)臺(tái)積電官方數(shù)據(jù)，N3P在同等功耗下性能可提升約5%，而在同等性能下功耗可降低5-10%。晶體管密度也提升了4%，尤其是SRAM的縮放效果尤為顯著。

回顧過(guò)去，蘋果M3、高通驍龍8至尊版、聯(lián)發(fā)科天璣9400/9400+等芯片均采用了N3E工藝。隨著N3P的量產(chǎn)，業(yè)界普遍關(guān)注這些產(chǎn)品是否會(huì)迎來(lái)升級(jí)換代，或是直接跨越至更先進(jìn)的N2工藝。

相較于N3P，N3X作為再次升級(jí)版，性能提升更為顯著。在同等功耗下，性能可再提升5%；而在同等性能下，功耗可降低7%。尤為重要的是，N3X支持最高達(dá)1.2V的電壓，能夠?qū)㈩l率與性能發(fā)揮至極致。然而，這一提升也帶來(lái)了漏電率驟然增大最多250%的代價(jià)，因此芯片設(shè)計(jì)需極為謹(jǐn)慎。

臺(tái)積電還透露，N3系列工藝在明年還將迎來(lái)N3A、N3C兩個(gè)新版本。盡管未做具體介紹，但從定位來(lái)看，N3C將主打超低成本，面向低端市場(chǎng)。

臺(tái)積電N3系列中還有一個(gè)特殊版本——N3B。然而，由于性能和成本均表現(xiàn)不佳，大客戶中僅有Intel采用，用于其Lunar Lake、Arrow Lake系列處理器。這一選擇，也讓Intel在某種程度上成為了“大冤種”。