國際半導體行業(yè)標準組織JEDEC近期揭曉了一項重大技術(shù)革新——HBM4高帶寬內(nèi)存標準的正式發(fā)布。這一新標準在性能、能效以及設(shè)計靈活性上實現(xiàn)了質(zhì)的飛躍，預(yù)示著生成式AI、高性能計算(HPC)及高端應(yīng)用領(lǐng)域即將迎來一場技術(shù)革命。
HBM4的核心亮點在于其前所未有的帶寬能力。通過采用2048-bit接口，并將傳輸速度提升至8Gb/s，HBM4的總帶寬達到了驚人的2TB/s，這一數(shù)字是前代HBM3的兩倍之多。如此巨大的帶寬提升，無疑將為帶寬密集型應(yīng)用注入強大的動力，顯著提升數(shù)據(jù)傳輸效率。
在通道數(shù)方面，HBM4同樣帶來了顯著的改進。每個堆棧的獨立通道數(shù)量從HBM3的16個增加至32個，這一變化為設(shè)計人員提供了更大的創(chuàng)意空間，使他們能夠更靈活地優(yōu)化多維數(shù)據(jù)集的獨立訪問，從而進一步提升系統(tǒng)性能。
電源效率是HBM4另一大亮點。該標準支持多種供應(yīng)商特定的電壓電平，包括VDDQ的0.7V、0.75V、0.8V或0.9V，以及VDDC的1.0V或1.05V。這些改進不僅有效降低了功耗，還顯著提高了能源效率，使得HBM4在能效方面表現(xiàn)出色。
HBM4在保持高性能的同時，還確保了與現(xiàn)有HBM3控制器的向后兼容性。這一特性意味著在各種應(yīng)用中，HBM4可以無縫集成，甚至在必要時，單個控制器可以同時與HBM3和HBM4協(xié)同工作，為用戶提供了極大的便利。
在安全性方面，HBM4結(jié)合了定向刷新管理(DRFM)技術(shù)，有效增強了對row-hammer攻擊的防御能力。同時，更高的可靠性、可用性和可維護性(RAS)特性，確保了數(shù)據(jù)的安全性和系統(tǒng)的穩(wěn)定性，為關(guān)鍵應(yīng)用提供了堅實的保障。
HBM4在存儲容量方面也實現(xiàn)了突破。它支持4層、8層、12層和16層DRAM堆棧配置，芯片容量可選24Gb或32Gb，單個堆棧最大容量更是達到了64GB。這一多樣化的存儲容量選擇，使得HBM4能夠滿足不同應(yīng)用場景的多樣化需求。
HBM4高帶寬內(nèi)存標準的發(fā)布，標志著半導體行業(yè)在高性能、高能效以及高安全性方面邁出了重要一步。這一創(chuàng)新技術(shù)將為生成式AI、高性能計算等領(lǐng)域帶來深遠影響，推動相關(guān)應(yīng)用實現(xiàn)更加卓越的性能表現(xiàn)。
