近期，三星電子在國際固態(tài)電路會議IEEE ISSCC 2025上，通過韓媒SEDaily的現(xiàn)場采訪，向外界展示了其最新的HBM內(nèi)存發(fā)展藍圖，并詳細闡述了即將推出的HBM4E內(nèi)存的預(yù)期性能指標(biāo)。

據(jù)三星電子透露，HBM4E相較于其前代HBM4，在技術(shù)上實現(xiàn)了兩大重要飛躍。首先，HBM4E引入了32Gb DRAM裸片，這一創(chuàng)新使得在16Hi堆疊配置下，單個堆棧的內(nèi)存容量能夠擴展至64GB。其次，HBM4E將每引腳的傳輸速率提升至10Gbps，這一提升直接導(dǎo)致了HBM4E的整體帶寬相較于HBM4提高了25%。

在應(yīng)用層面，HBM4E內(nèi)存的潛力同樣引人注目。據(jù)業(yè)內(nèi)消息，英偉達計劃在2027年推出的Rubin Ultra AI GPU，將支持采用HBM4E內(nèi)存。這款GPU將支持多達12個HBM4 (E) 堆棧，如果全部采用HBM4E堆棧，那么單個加速器的內(nèi)存容量將可能達到前所未有的768GB，這對于處理大規(guī)模數(shù)據(jù)和復(fù)雜計算任務(wù)來說，無疑是一個巨大的優(yōu)勢。

三星電子的這一舉措，不僅展示了其在內(nèi)存技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位，也預(yù)示著未來高性能計算和人工智能領(lǐng)域?qū)⒂瓉砀鼮閺姶蟮挠布С?。隨著HBM4E內(nèi)存的逐步普及，我們有望看到更多高性能、大容量的計算設(shè)備問世，為科技進步和社會發(fā)展提供強有力的支持。