近日，科技界傳來一則重大合作消息，Intel與軟銀攜手，致力于開發(fā)一種創(chuàng)新的堆疊式DRAM解決方案，旨在挑戰(zhàn)并可能取代當前AI處理器中廣泛使用的HBM內(nèi)存。

為此，雙方共同創(chuàng)立了一家新公司——Saimemory，它將融合Intel的先進技術(shù)以及東京大學等日本學術(shù)機構(gòu)的專利成果，共同推進這一革命性產(chǎn)品的研發(fā)。

Saimemory的目標是，在2027年之前完成原型設(shè)計，并對量產(chǎn)的可行性進行全面評估，以期在2030年之前將該解決方案推向商業(yè)化市場。

HBM內(nèi)存以其高效處理大量暫存數(shù)據(jù)的能力，在AI處理器中占據(jù)主導地位。然而，其復雜的制造工藝、高昂的成本、易過熱以及高耗電量等問題，限制了其更廣泛的應用。針對這些挑戰(zhàn)，Intel與軟銀計劃通過堆疊DRAM芯片并優(yōu)化連接技術(shù)，推出一種存儲容量至少翻倍、耗電量降低40%、成本大幅降低的新型內(nèi)存解決方案。

在新公司的股權(quán)結(jié)構(gòu)中，軟銀將成為最大股東，投資約30億日元。公司計劃初期投入約150億日元的研發(fā)經(jīng)費。軟銀對這項技術(shù)寄予厚望，若研發(fā)成功，希望優(yōu)先獲得新產(chǎn)品的供應權(quán)。

面對AI芯片市場對HBM內(nèi)存的強勁需求與持續(xù)緊張的供應狀況，Saimemory期望通過其替代產(chǎn)品，在日本數(shù)據(jù)中心市場占據(jù)一席之地。這不僅標志著日本在內(nèi)存芯片領(lǐng)域的一次重要突破，也是其20多年來首次嘗試重返內(nèi)存芯片主要供應國之列的雄心壯志。