近期，國(guó)際半導(dǎo)體制造設(shè)備巨頭ASML公司宣布了一項(xiàng)重要進(jìn)展，其最新款的EUV光刻機(jī)EXE:5200即將面世。這款光刻機(jī)作為EXE:5000的升級(jí)版，性能表現(xiàn)更為卓越，然而卻明確表示不會(huì)向中國(guó)廠商出售。

據(jù)悉，EXE:5200在晶圓吞吐量上實(shí)現(xiàn)了顯著提升，相較于前代EXE:5000的每小時(shí)185片以上，新機(jī)型將能夠更高效地支持2nm工藝的量產(chǎn)。這一改進(jìn)對(duì)于滿足未來半導(dǎo)體行業(yè)對(duì)高精度、高效率制造設(shè)備的需求具有重要意義。

早在之前，ASML就已宣布英特爾訂購(gòu)了業(yè)界首臺(tái)TWINSCAN EXE:5200光刻機(jī)。這款光刻機(jī)不僅具備高數(shù)值孔徑，還擁有每小時(shí)超過200片的晶圓處理能力，是極紫外（EUV）大批量生產(chǎn)系統(tǒng)中的佼佼者。英特爾的此次訂購(gòu)標(biāo)志著ASML在引入0.55 NA EUV技術(shù)的道路上取得了重要突破。

值得注意的是，無(wú)論是TWINSCAN EXE:5000還是EXE:5200，都采用了0.55的數(shù)值孔徑，相較于前代EUV光刻機(jī)的0.33數(shù)值孔徑透鏡，這一改進(jìn)大大提高了精度，使得新機(jī)型能夠?yàn)楦〉木w管功能提供更高分辨率的模式。這對(duì)于推動(dòng)半導(dǎo)體工藝技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展具有關(guān)鍵作用。

ASML表示，EUV 0.55 NA的設(shè)計(jì)旨在從2025年開始實(shí)現(xiàn)多個(gè)未來節(jié)點(diǎn)，這是業(yè)內(nèi)的首次部署。隨著這一技術(shù)的逐步推廣，預(yù)計(jì)將會(huì)有更多采用類似密度的內(nèi)存技術(shù)涌現(xiàn)，進(jìn)一步推動(dòng)半導(dǎo)體行業(yè)的創(chuàng)新發(fā)展。然而，對(duì)于中國(guó)廠商而言，由于ASML的限制性政策，他們可能無(wú)法及時(shí)獲得這款先進(jìn)的EUV光刻機(jī)，這無(wú)疑將對(duì)其在半導(dǎo)體領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)力產(chǎn)生一定影響。