在近期于北美舉辦的2025年技術(shù)論壇上，臺(tái)積電震撼發(fā)布了其最新的A14工藝，標(biāo)志著半導(dǎo)體技術(shù)邁入1.4納米時(shí)代。據(jù)官方介紹，A14并非過渡性技術(shù)，而是臺(tái)積電工藝節(jié)點(diǎn)的一次全新飛躍，預(yù)計(jì)將在2028年上半年正式投入量產(chǎn)。

與臺(tái)積電現(xiàn)有的N2 2納米工藝相比，A14在性能和功耗上均實(shí)現(xiàn)了顯著提升。在保持相同功耗的前提下，A14的性能可提升10%至15%；而在同等性能下，其功耗則可降低25%至30%。A14在邏輯晶體管密度上最高可提升23%，芯片密度也有20%的增長，這一系列數(shù)據(jù)無疑彰顯了A14的卓越性能。

A14工藝的成功，離不開臺(tái)積電在晶體管技術(shù)上的突破。第二代GAAFET全環(huán)繞納米片晶體管技術(shù)的運(yùn)用，使得電流控制更為精準(zhǔn)，從而實(shí)現(xiàn)了性能的提升和功耗的降低。同時(shí)，NanoFlex Pro標(biāo)準(zhǔn)單元架構(gòu)的引入，為設(shè)計(jì)人員提供了更大的靈活性，他們可以根據(jù)具體的應(yīng)用場景或負(fù)載需求，在芯片設(shè)計(jì)階段靈活調(diào)整晶體管配置，以達(dá)到最優(yōu)的性能、功耗和面積（PPA）平衡。

值得注意的是，A14工藝不僅在技術(shù)指標(biāo)上表現(xiàn)出色，其在命名上也直接與Intel的14A工藝形成對(duì)標(biāo)。Intel的14A工藝同樣宣稱達(dá)到了1.4納米級(jí)別，并計(jì)劃于2026年推出。然而，與Intel的14A工藝相比，臺(tái)積電A14在性能提升和功耗優(yōu)化方面展現(xiàn)出了更為顯著的優(yōu)勢，特別是在晶體管密度和芯片密度的提升上，A14無疑更具競爭力。

臺(tái)積電并未止步于此，他們還透露了A14工藝的后續(xù)升級(jí)計(jì)劃。據(jù)悉，臺(tái)積電計(jì)劃在2029年推出A14的升級(jí)版——A14P，該版本將加入背部供電網(wǎng)絡(luò)（BSPDN），以進(jìn)一步提升性能。然而，這一升級(jí)也將帶來成本的增加。除了A14P之外，臺(tái)積電還考慮推出更高性能的A14X版本和更低成本的A14C版本，以滿足不同市場的需求。