近日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)針對(duì)市場(chǎng)上傳言的“借殼上市”消息，正式發(fā)表了澄清聲明。該公司在聲明中堅(jiān)決否認(rèn)了有任何上市計(jì)劃，并強(qiáng)調(diào)從未有過(guò)“借殼上市”的意愿。

聲明指出，近期有多家媒體無(wú)中生有，散布關(guān)于長(zhǎng)江存儲(chǔ)上市的不實(shí)信息，這嚴(yán)重干擾了公司的正常運(yùn)營(yíng)。長(zhǎng)江存儲(chǔ)明確表示，與傳聞中涉及的“萬(wàn)潤(rùn)科技”等上市公司并無(wú)任何直接業(yè)務(wù)往來(lái)。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)還呼吁相關(guān)媒體和單位立即停止傳播這些不實(shí)報(bào)道，并表示將保留追究法律責(zé)任的權(quán)利。這一表態(tài)體現(xiàn)了公司對(duì)維護(hù)自身形象和聲譽(yù)的堅(jiān)定立場(chǎng)。

作為國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)領(lǐng)域的佼佼者，長(zhǎng)江存儲(chǔ)近年來(lái)在面臨外部壓力的情況下，依然取得了顯著的進(jìn)展。據(jù)悉，在受到美國(guó)出口限制和被列入實(shí)體清單的雙重挑戰(zhàn)下，長(zhǎng)江存儲(chǔ)已成功采用國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備替代了部分美系設(shè)備，展現(xiàn)了強(qiáng)大的自主研發(fā)能力。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)自研的Xtacking架構(gòu)更是讓其在3D NAND領(lǐng)域大放異彩。該架構(gòu)使得3D NAND的層數(shù)能夠堆疊到232層，與全球知名的存儲(chǔ)制造商如美光、三星和SK海力士相比，也毫不遜色。這一技術(shù)突破不僅提升了長(zhǎng)江存儲(chǔ)的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力，也為國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)注入了新的活力。

據(jù)透露，長(zhǎng)江存儲(chǔ)已經(jīng)成功使用中微半導(dǎo)體設(shè)備公司的蝕刻設(shè)備、北方華創(chuàng)的沉積與蝕刻設(shè)備，以及拓荊科技的沉積設(shè)備，制造出了高質(zhì)量的3D NAND閃存芯片。這一成果不僅證明了國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備的可靠性，也為長(zhǎng)江存儲(chǔ)的未來(lái)發(fā)展奠定了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。