近期，兩家科技巨頭Ferroelectric Memory Co.（FMC）與Neumonda攜手合作，共同推動(dòng)一項(xiàng)名為“DRAM+”的創(chuàng)新內(nèi)存架構(gòu)走向市場(chǎng)。這一合作將為用戶帶來(lái)前所未有的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)體驗(yàn)。

DRAM+技術(shù)的獨(dú)特之處在于，它將DRAM的高速訪問(wèn)性能與非易失性數(shù)據(jù)保留能力相結(jié)合，有效填補(bǔ)了高速DRAM與NAND閃存之間的性能鴻溝。這一突破性的技術(shù)革新，有望徹底改變數(shù)據(jù)存儲(chǔ)領(lǐng)域的格局。

技術(shù)的核心亮點(diǎn)在于，DRAM+采用了鐵電氧化鉿（HfO2）元件，替代了傳統(tǒng)DRAM中的電容器。這種新型元件不僅能夠在斷電情況下持久存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，還保持了納秒級(jí)的訪問(wèn)速度，實(shí)現(xiàn)了速度與持久性的完美結(jié)合。

相較于過(guò)去廣泛使用的鋯鈦酸鉛（PZT），HfO2元件展現(xiàn)出了更高的可擴(kuò)展性和兼容性。它能夠與現(xiàn)有的半導(dǎo)體制造工藝無(wú)縫對(duì)接，支持10納米以下的先進(jìn)制造工藝，并實(shí)現(xiàn)千兆位級(jí)別的存儲(chǔ)密度，為大規(guī)模數(shù)據(jù)存儲(chǔ)提供了強(qiáng)有力的支持。

FMC的DRAM+技術(shù)主要面向需要持久性、低功耗和高性能的特定應(yīng)用場(chǎng)景，如AI加速器、汽車(chē)電子控制單元（ECU）以及醫(yī)療植入物等。這些領(lǐng)域?qū)?shù)據(jù)存儲(chǔ)的要求極高，DRAM+技術(shù)的出現(xiàn)無(wú)疑為它們提供了更加可靠和高效的解決方案。

DRAM+技術(shù)通過(guò)消除傳統(tǒng)的刷新周期，顯著降低了靜態(tài)功耗，相較于傳統(tǒng)的單晶體管/單電容器DRAM單元，具有更加明顯的優(yōu)勢(shì)。這一特性使得DRAM+技術(shù)在低功耗應(yīng)用場(chǎng)景中更具競(jìng)爭(zhēng)力。

為了確保DRAM+技術(shù)的順利推進(jìn)，Neumonda將為FMC提供其先進(jìn)的測(cè)試平臺(tái)套件Rhinoe和Octopus Raptor，用于電氣特性和分析。這一合作將加速DRAM+技術(shù)的測(cè)試和驗(yàn)證進(jìn)程，為產(chǎn)品的商業(yè)化打下堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。

盡管雙方尚未公布商用DRAM+產(chǎn)品的具體生產(chǎn)時(shí)間表，但這一合作無(wú)疑已經(jīng)引起了業(yè)界的廣泛關(guān)注。隨著DRAM+技術(shù)的不斷成熟和推廣，相信它將為用戶帶來(lái)更加高效、可靠和便捷的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)體驗(yàn)。