Intel近日宣布了一項(xiàng)重大進(jìn)展，其前沿的18A工藝（即1.8納米工藝）已經(jīng)準(zhǔn)備就緒，專為首批客戶項(xiàng)目量身打造，并定于2025年上半年啟動(dòng)流片流程。

據(jù)業(yè)界觀察家透露，Intel的18A工藝有望成為全球首個(gè)突破2納米大關(guān)的半導(dǎo)體制造工藝，這一里程碑式的成就或?qū)⑹笽ntel在工藝技術(shù)方面領(lǐng)先臺(tái)積電一年。

該工藝不僅在SRAM密度方面能夠與臺(tái)積電相媲美，而且在每瓦性能上實(shí)現(xiàn)了15%的提升。尤為與Intel 3工藝（應(yīng)用于至強(qiáng)6系列處理器）相比，18A工藝的芯片密度激增了30%。

Intel在18A工藝中融入了GAA晶體管架構(gòu)，并創(chuàng)新性地引入了PowerVia背部供電技術(shù)，這一舉措被視為解決處理器邏輯區(qū)域電壓下降及干擾問題的關(guān)鍵策略。

反觀臺(tái)積電，其2nm N2制程的量產(chǎn)計(jì)劃定于2025年底，而首批面向消費(fèi)者的產(chǎn)品預(yù)計(jì)將在2026年中面世，時(shí)間上稍顯滯后。

Intel已規(guī)劃將18A制程應(yīng)用于即將問世的Panther Lake系列筆記本處理器和Clearwater Forest服務(wù)器CPU，這兩款備受矚目的產(chǎn)品有望在年底前與消費(fèi)者見面。