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TechInsights預測:ASML新型High NA EUV光刻機功耗將達1400千瓦

   發(fā)布時間:2024-11-04 18:22 作者:沈瑾瑜

TechInsights最近的分析揭示,ASML的EUV光刻機功耗驚人。據(jù)悉,0.33 NA型號的功耗已達1170千瓦,而更先進的0.55 NA(High NA)型號預計將飆升至1400千瓦,這相當于約1000臺滿載電火鍋的能耗。

隨著EUV技術(shù)的普及,其對能源的需求也日益凸顯。據(jù)統(tǒng)計,目前有31家晶圓廠采用這項技術(shù),預計到2030年將激增至59家。而EUV光刻設(shè)備的數(shù)量,預計將增長超過一倍。

這一增長趨勢意味著,到2030年,全球EUV光刻機的電力消耗將達到驚人的6100吉瓦時。這一數(shù)字與盧森堡和柬埔寨兩國2020年的總用電量相當。值得注意的是,在半導體晶圓廠中,EUV光刻機的用電量僅占總用電量的11%左右。其他工藝設(shè)備和HVAC系統(tǒng)同樣產(chǎn)生了巨大的能源消耗。

當前,半導體行業(yè)正面臨重大抉擇。一方面,EUV光刻技術(shù)在推動創(chuàng)新和滿足先進芯片需求方面發(fā)揮著關(guān)鍵作用;另一方面,該技術(shù)帶來的能源負擔也不容忽視。

分析機構(gòu)指出,隨著技術(shù)的不斷進步和市場的持續(xù)擴張,半導體行業(yè)需要在保持創(chuàng)新的同時,積極探索節(jié)能減排的解決方案,以實現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展。

 
 
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