近期，科技博主數(shù)碼閑聊站透露了一則關(guān)于智能手機(jī)芯片領(lǐng)域的重磅消息。據(jù)悉，蘋果、高通與聯(lián)發(fā)科均計(jì)劃在明年采用臺積電的2納米（nm）制程技術(shù)。這一技術(shù)升級預(yù)計(jì)將導(dǎo)致生產(chǎn)成本大幅增加，進(jìn)而可能引發(fā)新一輪的智能手機(jī)價格上漲。

回顧去年10月，由于高通驍龍8 Elite與聯(lián)發(fā)科天璣9400等芯片采用了臺積電的3nm工藝，國內(nèi)眾多智能手機(jī)品牌紛紛上調(diào)了產(chǎn)品價格。當(dāng)時，REDMI總經(jīng)理王騰對此進(jìn)行了解釋，指出漲價原因主要有兩點(diǎn)：一是旗艦處理器升級到最新的3nm制程，工藝成本顯著上升；二是內(nèi)存和存儲芯片在過去一年中持續(xù)漲價，已達(dá)到價格高點(diǎn)，因此大內(nèi)存版本的價格漲幅尤為明顯。

展望未來，隨著高通驍龍8 Elite 3與天璣9600等芯片的制程工藝從3nm升級到全新的2nm，生產(chǎn)成本預(yù)計(jì)將進(jìn)一步攀升。這無疑將給終端市場的旗艦機(jī)型帶來新一輪的價格上漲壓力。

據(jù)相關(guān)報(bào)道，臺積電每片300毫米的2nm晶圓報(bào)價可能突破3萬美元大關(guān)，與目前3nm晶圓的價格區(qū)間（1.85萬至2萬美元）相比，漲幅顯著。這一價格變動直接反映了先進(jìn)制程技術(shù)的研發(fā)與生產(chǎn)成本。

值得注意的是，臺積電的2nm制程技術(shù)首次引入了Gate-all-around FETs（GAAFET）晶體管技術(shù)，并結(jié)合了NanoFlex技術(shù)。這一創(chuàng)新為芯片設(shè)計(jì)人員提供了前所未有的標(biāo)準(zhǔn)元件靈活性，使得芯片在性能與功耗方面能夠?qū)崿F(xiàn)顯著提升。

具體而言，與當(dāng)前的N3E工藝相比，N2工藝預(yù)計(jì)將在相同功率下實(shí)現(xiàn)10%至15%的性能提升，或在相同頻率下將功耗降低25%至30%。這一技術(shù)進(jìn)步無疑將為未來的智能手機(jī)帶來更為出色的性能表現(xiàn)與能效比。