隨著內(nèi)存技術的不斷進步，業(yè)界領先的半導體制造商正積極探索下一代高帶寬內(nèi)存（HBM）的革新方案。近日，據(jù)韓國科技新聞網(wǎng)站ETNews披露，三星電子、SK海力士及美光科技均對在即將推出的HBM4內(nèi)存中采用新型的無助焊劑鍵合技術展現(xiàn)出了濃厚興趣，并已著手進行相關技術儲備。

據(jù)了解，HBM內(nèi)存技術自問世以來，就以其超高的數(shù)據(jù)傳輸速度和能效比受到了業(yè)界的廣泛關注。隨著技術迭代至HBM4階段，16層堆疊結構將成為主流，這要求制造商必須進一步壓縮內(nèi)存層間的間隙，以確保整體堆棧高度不超出規(guī)定的775微米限制。

在這一技術挑戰(zhàn)面前，傳統(tǒng)的有凸塊鍵合技術雖仍占據(jù)主導地位，但無凸塊的混合鍵合技術也在不斷發(fā)展中。然而，目前該技術尚未成熟，難以立即應用于大規(guī)模生產(chǎn)。因此，三大內(nèi)存制造商開始將目光轉(zhuǎn)向了無助焊劑鍵合技術。

助焊劑在現(xiàn)有的HBM鍵合工藝中扮演著重要角色，它能夠有效清除DRAM芯片表面的氧化層，從而確保鍵合過程中的機械和電氣連接不受干擾。然而，助焊劑殘留物也會增加芯片間的間隙，進而影響整體堆棧的高度。

針對這一問題，美光科技表現(xiàn)得尤為積極，已與多家合作伙伴共同測試無助焊劑鍵合工藝的可行性。SK海力士也在考慮引入該技術，而三星電子同樣對此保持高度關注。這三大內(nèi)存制造商的準備程度雖有所不同，但無疑都認識到了無助焊劑鍵合技術在未來HBM4內(nèi)存生產(chǎn)中的潛在價值。