英特爾在近期舉辦的2025年VLSI研討會上，深入分享了其前沿的Intel 18A制程技術(shù)的詳細信息。這項技術(shù)不僅在性能上實現(xiàn)了顯著提升，還在設(shè)計易用性方面邁出了重要一步。

據(jù)悉，Intel 18A制程推出了高性能（HP）和高密度（HD）兩種庫，兩者均配備了全面的技術(shù)設(shè)計功能和增強的易用性。在關(guān)鍵的PPA（性能、功耗、面積）指標(biāo)上，Intel 18A制程在標(biāo)準(zhǔn)Arm核心架構(gòu)的芯片上，以1.1V的電壓實現(xiàn)了令人矚目的25%速度提升和36%功耗降低。這一突破性的表現(xiàn)，無疑為未來的芯片設(shè)計提供了新的可能性。

與Intel 3制程相比，Intel 18A在面積利用率上有了顯著提升。這意味著，采用Intel 18A制程的芯片可以在更小的面積內(nèi)實現(xiàn)更復(fù)雜的設(shè)計，從而提高了整體的設(shè)計效率和密度。

英特爾在其官方資料中透露，Intel 18A制程采用了RibbonFET環(huán)繞柵極晶體管（GAA）技術(shù)，這一技術(shù)可以實現(xiàn)對電流的精確控制。同時，該技術(shù)還結(jié)合了業(yè)界首創(chuàng)的PowerVia背面供電技術(shù)，進一步提升了電力傳輸?shù)姆€(wěn)定性和效率。英特爾還展示了電壓下降圖，以證明在高性能條件下，Intel 18A制程的節(jié)點穩(wěn)定性得到了顯著提升。

通過背面供電技術(shù)的運用，英特爾實現(xiàn)了更緊密的單元封裝，并顯著提高了面積效率。這一改進主要得益于背面供電技術(shù)相比正面布線釋放了更多的空間，使得芯片設(shè)計更加緊湊和高效。

從當(dāng)前披露的信息來看，如果Intel 18A制程的良率能夠達到預(yù)期，它將成為臺積電2nm制程的有力競爭對手。這一制程技術(shù)的推出，將有望推動整個半導(dǎo)體行業(yè)的技術(shù)進步和發(fā)展。

據(jù)市場預(yù)測，Intel 18A制程將首先應(yīng)用于Panther Lake SoC和Xeon的Clearwater Forest CPU。預(yù)計最早在2026年，消費者就有可能見到采用這一先進制程技術(shù)的終端產(chǎn)品。這將為消費者帶來更加高效、節(jié)能和強大的計算體驗。