三星電子在高帶寬內(nèi)存（HBM）領(lǐng)域雖有新進展，但其半導(dǎo)體業(yè)務(wù)卻正面臨多重嚴峻挑戰(zhàn)。據(jù)業(yè)內(nèi)消息透露，特別是在8層堆疊HBM產(chǎn)品方面，三星的上市時間較競爭對手落后超過一年，這不僅在技術(shù)先進性上造成了差距，也對市場份額的爭奪帶來了巨大壓力。

在HBM市場的競爭中，三星在第五代產(chǎn)品上已處下風(fēng)，因此公司將希望寄托在了下一代HBM4產(chǎn)品上，力求能在今年實現(xiàn)量產(chǎn)。然而，現(xiàn)實情況卻不盡如人意。用于HBM4的關(guān)鍵10納米級第七代DRAM技術(shù)尚未開發(fā)完成，加之材料準備不充分，使得HBM4的量產(chǎn)計劃面臨諸多不確定性。有專家指出，只有當高附加值的HBM訂單大幅增加時，三星的設(shè)備解決方案（DS）部門業(yè)績才有可能迎來顯著反彈。

三星半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的另一大支柱，即由晶圓代工和系統(tǒng)LSI組成的業(yè)務(wù)線，同樣表現(xiàn)不佳。據(jù)估算，2025年第一季度，該業(yè)務(wù)線虧損額超過2萬億韓元（折合人民幣約99.2億元）。其中，核心產(chǎn)品Exynos 2500因性能與良率未能達到預(yù)期，未能應(yīng)用于S25系列，導(dǎo)致虧損持續(xù)擴大。

在晶圓代工領(lǐng)域，三星的劣勢也較為明顯。由于3納米及以下先進工藝尚未獲得大型客戶的訂單，三星在爭奪高端客戶方面的不利局面可能在短期內(nèi)難以改變。這進一步加劇了三星半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的困境。

面對這一系列挑戰(zhàn)，三星正在全力推進2納米制程及相關(guān)產(chǎn)品的開發(fā)。公司正集中資源研發(fā)Exynos 2600，并力爭在年內(nèi)實現(xiàn)量產(chǎn)。據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露，與去年同期的3納米制程相比，2納米制程的良率更為穩(wěn)定，三星在該領(lǐng)域的投入與期待也顯著提升。HBM4與2納米制程被視作三星半導(dǎo)體業(yè)務(wù)能否扭轉(zhuǎn)局勢的關(guān)鍵所在。