三星電子在內(nèi)存技術領域取得了新的突破。據(jù)韓媒ZDNET Korea報道，該公司已成功研發(fā)出1c nm（第六代10nm級）DRAM內(nèi)存的良品晶粒，這一成果在公司內(nèi)部獲得了高度評價。

然而，1c nm DRAM的量產(chǎn)仍面臨挑戰(zhàn)，首批產(chǎn)品的良率尚不足一成。為推進量產(chǎn)進程，三星電子計劃在今年底前完成首條1c nm DRAM內(nèi)存量產(chǎn)線的建設。

▲ 三星電子HBM內(nèi)存示意圖

據(jù)悉，三星下一代HBM內(nèi)存HBM4預計將基于1c nm DRAM制程，以期在市場競爭中追趕并超越SK海力士與美光。

按照行業(yè)慣例，新DRAM制程通常先應用于DDR內(nèi)存，再逐步擴展至LPDDR，最后在HBM上應用。但考慮到1c nm DRAM的量產(chǎn)時間和HBM4的預計量產(chǎn)時間，三星可能會打破這一常規(guī)順序。

▲ 生產(chǎn)線示意圖

▲ DRAM內(nèi)存芯片

▲ HBM內(nèi)存模塊