在半導(dǎo)體技術(shù)的激烈競(jìng)爭(zhēng)中，2nm制程技術(shù)的爭(zhēng)奪戰(zhàn)已悄然拉開(kāi)序幕，而蘋(píng)果、高通與聯(lián)發(fā)科這三大行業(yè)巨頭正蓄勢(shì)待發(fā)。值得注意的是，聯(lián)發(fā)科在這場(chǎng)技術(shù)競(jìng)賽中展現(xiàn)出了更為迅速的步伐。

聯(lián)發(fā)科的首席執(zhí)行官蔡力行，在近期于COMPUTEX上所做的主題演講中透露，過(guò)去的十年間，聯(lián)發(fā)科芯片已廣泛應(yīng)用于全球超過(guò)200億臺(tái)設(shè)備中，這意味著全球平均每人都擁有2.5臺(tái)搭載聯(lián)發(fā)科芯片的設(shè)備。這一數(shù)據(jù)不僅彰顯了聯(lián)發(fā)科的市場(chǎng)占有率，也體現(xiàn)了其在半導(dǎo)體行業(yè)的深厚底蘊(yùn)。

蔡力行還帶來(lái)了一則令人振奮的消息：聯(lián)發(fā)科計(jì)劃在今年9月正式啟動(dòng)2nm產(chǎn)品的流片階段。相較于當(dāng)前的3nm制程技術(shù)，2nm制程將帶來(lái)15%的性能提升，同時(shí)功耗將降低25%。這一技術(shù)突破無(wú)疑將為聯(lián)發(fā)科在未來(lái)的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)中增添更多的籌碼。

據(jù)相關(guān)爆料，聯(lián)發(fā)科將于今年9月發(fā)布的天璣9500芯片將繼續(xù)采用臺(tái)積電的3nm制程技術(shù)，而明年下半年即將推出的天璣9600則將率先采用臺(tái)積電全新的2nm工藝。這將標(biāo)志著聯(lián)發(fā)科正式邁入2nm時(shí)代，成為首批推出2nm芯片的廠商之一。

臺(tái)積電2nm制程技術(shù)的核心在于其采用的全新GAAFET架構(gòu)。相較于傳統(tǒng)的FinFET架構(gòu)，GAAFET架構(gòu)中的每個(gè)晶體管都被柵極材料完全包裹，這一創(chuàng)新設(shè)計(jì)不僅大幅提升了晶體管的密度，還有效降低了漏電現(xiàn)象，從而顯著降低了功耗。這一技術(shù)突破無(wú)疑將為未來(lái)的芯片性能帶來(lái)質(zhì)的飛躍。

然而，伴隨著2nm技術(shù)的到來(lái)，其成本也相應(yīng)攀升。據(jù)消息透露，臺(tái)積電2nm晶圓的成本將比之前高出10%。這一成本上升無(wú)疑將對(duì)終端產(chǎn)品的價(jià)格產(chǎn)生影響，預(yù)計(jì)未來(lái)的旗艦產(chǎn)品將掀起新一輪的漲價(jià)潮。