SK 海力士近日在其業(yè)務(wù)報告中宣布了一項重要的技術(shù)進(jìn)展。據(jù)悉，該公司已經(jīng)成功開發(fā)出基于第5代10納米級（1b nm）技術(shù)的16Gb LPDDR5X內(nèi)存，這一成就標(biāo)志著SK海力士在內(nèi)存技術(shù)領(lǐng)域的又一次重大突破。

該16Gb LPDDR5X內(nèi)存的開發(fā)工作早在去年4月就已經(jīng)完成，并在同年10月正式投入量產(chǎn)。這一內(nèi)存的運行速率高達(dá)10.7Gbps（即10667 MT/s），與前一代的9.6Gbps LPDDR5T相比，速度提升了約10%。不僅如此，在能效方面，這款新產(chǎn)品也實現(xiàn)了15%的顯著提升。

SK 海力士此次推出的LPDDR5X內(nèi)存，不僅速度更快、能效更高，而且其應(yīng)用前景也極為廣闊。該公司計劃以SOCAMM和LPCAMM的模組形態(tài)，將這款內(nèi)存推向服務(wù)器和PC市場。這一舉措旨在滿足日益增長的AI計算對高性能DRAM的迫切需求。

隨著AI技術(shù)的不斷發(fā)展和普及，高性能內(nèi)存的需求也在持續(xù)增長。SK 海力士此次推出的LPDDR5X內(nèi)存，無疑將為服務(wù)器和PC市場注入一股新的活力，推動相關(guān)產(chǎn)業(yè)的進(jìn)一步發(fā)展。同時，這也再次證明了SK海力士在內(nèi)存技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位和創(chuàng)新能力。