NAND閃存領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)鎧俠KIOXIA，在近期舉行的公司戰(zhàn)略會議上，公布了其面向人工智能（AI）時代的長期發(fā)展藍(lán)圖。該戰(zhàn)略聚焦于滿足AI應(yīng)用對存儲速度及性能的極致需求，其中一項(xiàng)關(guān)鍵舉措是開發(fā)一款專為AI設(shè)計(jì)的固態(tài)硬盤（SSD）。

這款創(chuàng)新的SSD將融合XL-FLASH高性能SLC NAND閃存與全新設(shè)計(jì)的SSD控制器，旨在提供前所未有的隨機(jī)讀取性能，達(dá)到驚人的10M IOPS，這一數(shù)字是當(dāng)前市場上企業(yè)級TLC PCIe 5.0 SSD（約3000+K IOPS）的三倍之多。鎧俠預(yù)計(jì)，該產(chǎn)品的樣品將在2024年下半年面世。

在存儲技術(shù)層級中，位于DRAM與普通NAND閃存之間的SCM（存儲級內(nèi)存）領(lǐng)域，鎧俠亦有所布局。公司計(jì)劃在2026年下半年推出支持CXL協(xié)議的XL-FLASH存儲產(chǎn)品，進(jìn)一步拓展其在高端存儲市場的版圖。同時，鎧俠正與南亞科技合作，共同研發(fā)基于4F2架構(gòu)的氧化物半導(dǎo)體（IGZO）通道晶體管DRAM內(nèi)存，即OCTRAM，該技術(shù)有望大幅降低漏電流并提升能效。

在NAND閃存技術(shù)方面，鎧俠同樣展示了其未來的發(fā)展路線圖。下一代BiCS 10技術(shù)將實(shí)現(xiàn)332層堆疊，最大容量可達(dá)2Tb，接口速率將飆升至4800MT/s。不僅如此，該技術(shù)還將帶來讀取延遲的減少、寫入功耗的降低以及比特密度的提升，為數(shù)據(jù)存儲領(lǐng)域帶來革命性的變化。

通過這些前瞻性的技術(shù)研發(fā)與市場布局，鎧俠正穩(wěn)步邁向AI時代的存儲前沿，致力于為用戶提供更高效、更可靠的存儲解決方案。