近期，存儲(chǔ)芯片市場迎來了新的動(dòng)向，結(jié)束了長時(shí)間的降價(jià)趨勢，轉(zhuǎn)而邁向漲價(jià)階段。這一變化不僅覆蓋了DRAM內(nèi)存，還涉及NAND閃存等多個(gè)領(lǐng)域，無一廠商能夠幸免，即便是行業(yè)巨頭三星也不例外。

據(jù)悉，三星正籌備向全球各大客戶發(fā)布通知，宣布其存儲(chǔ)芯片價(jià)格將在當(dāng)前基礎(chǔ)上上調(diào)3%至5%。此舉無疑在市場上掀起了波瀾，部分客戶已經(jīng)開始著手重新協(xié)商合同采購價(jià)格，以應(yīng)對(duì)即將到來的成本增加。

與此同時(shí)，另一存儲(chǔ)芯片大廠美光也緊跟步伐，向客戶預(yù)告了漲價(jià)的消息。這一連串的動(dòng)作，預(yù)示著存儲(chǔ)芯片市場正迎來新一輪的價(jià)格調(diào)整。

探究漲價(jià)背后的原因，不難發(fā)現(xiàn)，去年困擾行業(yè)的供過于求、庫存積壓問題已得到有效緩解。隨著市場需求的顯著回升，特別是在DRAM、NAND以及HBM等領(lǐng)域，需求呈現(xiàn)出強(qiáng)勁的增長態(tài)勢。據(jù)預(yù)測，這一趨勢有望在2025至2026年間持續(xù)保持。

市場數(shù)據(jù)進(jìn)一步印證了這一趨勢。DDR4內(nèi)存價(jià)格已連續(xù)四月保持穩(wěn)定，而DDR5內(nèi)存價(jià)格則出現(xiàn)了12%的上漲。NAND閃存的成本也增加了9%，這些變化無疑為存儲(chǔ)芯片市場的漲價(jià)提供了有力的支撐。

存儲(chǔ)芯片市場的這一輪漲價(jià)，不僅反映了行業(yè)供需關(guān)系的變化，也預(yù)示著未來一段時(shí)間內(nèi)，存儲(chǔ)芯片成本將成為影響電子設(shè)備制造商成本結(jié)構(gòu)的重要因素。隨著市場需求的持續(xù)上揚(yáng)，存儲(chǔ)芯片廠商有望借此機(jī)會(huì)實(shí)現(xiàn)業(yè)績的進(jìn)一步增長。