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應(yīng)用材料新推SEMVision H20:芯片檢測(cè)提速三倍,精準(zhǔn)識(shí)別微小缺陷

   發(fā)布時(shí)間:2025-02-21 10:25 作者:唐云澤

應(yīng)用材料公司近期發(fā)布了一款革命性的芯片檢測(cè)設(shè)備——SEMVision H20,這款設(shè)備在提升先進(jìn)制程芯片良率方面展現(xiàn)出了巨大潛力。據(jù)悉,SEMVision H20的推出,標(biāo)志著芯片檢測(cè)技術(shù)邁入了一個(gè)全新的階段。

在芯片制造過(guò)程中,微小的缺陷往往難以被傳統(tǒng)光學(xué)技術(shù)所識(shí)別。而電子束成像技術(shù),憑借其超高分辨率,成為了檢測(cè)這些難以察覺(jué)缺陷的重要工具。它能夠在復(fù)雜的納米級(jí)電路圖案中,精準(zhǔn)地分析出最細(xì)微的瑕疵。

然而,隨著芯片制程的不斷推進(jìn),傳統(tǒng)的熱場(chǎng)發(fā)射(TFE)電子束技術(shù)在速度和分辨率上逐漸顯現(xiàn)出局限性。在這一背景下,應(yīng)用材料公司的“冷場(chǎng)發(fā)射”(CFE)技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生。CFE技術(shù)在室溫下運(yùn)行,能夠產(chǎn)生更窄、電子更多的電子束,從而使圖像分辨率提高多達(dá)50%,成像速度更是提升了多達(dá)10倍。

SEMVision H20正是采用了第二代CFE技術(shù),其分析速度相較于熱場(chǎng)發(fā)射設(shè)備提升了三倍,同時(shí)也超越了第一代CFE技術(shù)。這一突破性的進(jìn)步,使得每個(gè)晶圓的覆蓋率得到了顯著提升,芯片制造商能夠在更短的時(shí)間內(nèi)收集到相同數(shù)量的信息。

除了速度上的提升,SEMVision H20在檢測(cè)深度上也展現(xiàn)出了卓越的性能。它能夠使用更窄的電子束深入芯片底部進(jìn)行檢測(cè),這對(duì)于2納米以下先進(jìn)邏輯芯片、高密度DRAM和3D NAND等高端芯片而言至關(guān)重要。隨著這些先進(jìn)制程芯片的不斷涌現(xiàn),光學(xué)檢測(cè)技術(shù)已經(jīng)難以滿(mǎn)足其檢測(cè)需求,而SEMVision H20則恰好填補(bǔ)了這一空白。

SEMVision H20還融入了深度學(xué)習(xí)AI算法,這一創(chuàng)新使得設(shè)備能夠分析趨勢(shì)并準(zhǔn)確識(shí)別真正的缺陷。應(yīng)用材料公司的專(zhuān)有深度學(xué)習(xí)網(wǎng)絡(luò)通過(guò)持續(xù)訓(xùn)練芯片制造商工廠(chǎng)的數(shù)據(jù),將缺陷精準(zhǔn)分類(lèi)到包括空洞、殘留物、劃痕、顆粒等在內(nèi)的數(shù)十種缺陷類(lèi)型中。這一技術(shù)的應(yīng)用,不僅提高了缺陷表征的準(zhǔn)確性和效率,也進(jìn)一步提升了芯片制造商的良率。

SEMVision H20的適用范圍廣泛,可用于所有前端工藝。它的推出,不僅為芯片制造商提供了更為高效、精準(zhǔn)的檢測(cè)手段,也推動(dòng)了先進(jìn)制程芯片的研發(fā)和生產(chǎn)進(jìn)程??梢灶A(yù)見(jiàn)的是,在未來(lái)的芯片制造領(lǐng)域,SEMVision H20將發(fā)揮越來(lái)越重要的作用。

隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展,芯片制程的推進(jìn)對(duì)檢測(cè)設(shè)備的要求也越來(lái)越高。SEMVision H20的推出,無(wú)疑是芯片檢測(cè)技術(shù)領(lǐng)域的一大進(jìn)步。它不僅提升了檢測(cè)速度和精度,也為先進(jìn)制程芯片的研發(fā)和生產(chǎn)提供了有力保障。

同時(shí),SEMVision H20的深度學(xué)習(xí)AI算法的應(yīng)用,也展示了人工智能在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的巨大潛力。未來(lái),隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步和創(chuàng)新,我們有理由相信,半導(dǎo)體制造領(lǐng)域?qū)⒂瓉?lái)更多的智能化、自動(dòng)化變革。

 
 
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