近日，據(jù)國際科技媒體Wccftech報道，內(nèi)存制造商美光科技公司分享了其HBM4及HBM4E項目的最新研發(fā)動態(tài)，引起了業(yè)界的廣泛關(guān)注。

據(jù)悉，美光即將推出的HBM4內(nèi)存將采用前所未有的2048位接口設(shè)計，并計劃在2026年步入大規(guī)模生產(chǎn)階段。而更為先進(jìn)的HBM4E版本，則將在未來幾年內(nèi)面世。HBM4E不僅數(shù)據(jù)傳輸速度將超越HBM4，更引人注目的是，它將支持基礎(chǔ)芯片的定制化服務(wù)，這一創(chuàng)新之舉有望為整個存儲行業(yè)帶來全新的發(fā)展機遇。

據(jù)美光透露，這些定制化的邏輯芯片將由臺積電采用先進(jìn)的生產(chǎn)工藝制造，能夠大幅度提升內(nèi)存的集成度和性能表現(xiàn)。臺積電先進(jìn)的工藝將使美光能夠根據(jù)客戶的特定需求，提供量身定制的存儲解決方案。

美光總裁兼首席執(zhí)行官Sanjay Mehrotra表示，HBM4E的推出將徹底改變存儲行業(yè)的面貌。他強調(diào)，通過結(jié)合臺積電先進(jìn)的生產(chǎn)工藝，美光將能夠為客戶提供前所未有的定制化服務(wù)，這不僅將推動美光自身的財務(wù)表現(xiàn)，更將引領(lǐng)整個存儲行業(yè)的創(chuàng)新發(fā)展。

目前，HBM4E的開發(fā)工作正在順利進(jìn)行中，并已與多家客戶建立了合作關(guān)系。美光預(yù)計，不同客戶將根據(jù)自身需求，采用不同的基礎(chǔ)芯片配置。

在技術(shù)細(xì)節(jié)方面，美光的HBM4將采用1β工藝（即第五代10nm技術(shù)）生產(chǎn)的DRAM，搭載于2048位接口的基礎(chǔ)芯片上。其數(shù)據(jù)傳輸速率高達(dá)6.4GT/s，理論帶寬更是達(dá)到了每堆棧1.64TB/s的驚人水平。

美光還透露，針對英偉達(dá)Blackwell處理器的8-Hi HBM3E設(shè)備已經(jīng)全面出貨，而12-Hi HBM3E堆棧也正在進(jìn)行嚴(yán)格的測試，并已獲得了主要客戶的一致好評。Mehrotra表示，盡管美光的12-Hi HBM3E堆棧在功耗上比競爭對手的8-Hi版本低了20%，但其內(nèi)存容量卻提高了50%，性能更是達(dá)到了行業(yè)領(lǐng)先的水平。

據(jù)了解，12-Hi HBM3E堆棧預(yù)計將用于AMD的Instinct MI325X和MI355X加速器，以及Nvidia的Blackwell B300系列計算GPU，為AI和HPC應(yīng)用提供強大的支持。