中國半導體行業(yè)近期傳來振奮人心的消息，繼DDR4和DDR5內(nèi)存以及NAND閃存取得顯著成就后，業(yè)界正集中力量向HBM高帶寬內(nèi)存發(fā)起挑戰(zhàn)，這一技術對于AI人工智能和HPC高性能計算至關重要。據(jù)悉，國內(nèi)企業(yè)在這一領域已經(jīng)邁出了重要一步。

據(jù)知情人士透露，中國的存儲企業(yè)正以穩(wěn)健的步伐推進HBM2內(nèi)存的研發(fā)與生產(chǎn)。其中，通富微電子，這家以集成電路封測為主業(yè)、排名全球第三的封測大廠，近期已開始試產(chǎn)HBM2內(nèi)存，并已向特定客戶供貨。值得注意的是，通富微電子并非專業(yè)的存儲芯片制造商，其核心業(yè)務集中在封裝測試領域，AMD和聯(lián)發(fā)科分別是其第一和第二大客戶。

回顧歷史，通富微電子與AMD的淵源頗深。早在2015年，AMD在面臨經(jīng)營困境時，將其位于蘇州和馬來西亞檳城的組裝測試工廠以3.71億美元的價格出售給了南通富士通微電子，而南通富士通微電子后來重組成為通富微電子的一部分。這一合作不僅增強了通富微電子的封測實力，也為雙方在半導體領域的深入合作奠定了基礎。

在HBM2內(nèi)存的研發(fā)與生產(chǎn)方面，中國還有兩家企業(yè)值得關注。一是長鑫存儲，這家企業(yè)最近剛剛推出了DDR5內(nèi)存，其在存儲領域的實力不容小覷。另一家是武漢新芯，同樣在HBM2內(nèi)存的研發(fā)上取得了顯著進展。這兩家企業(yè)的加入，無疑為中國在HBM高帶寬內(nèi)存領域的發(fā)展注入了新的活力。

在國際市場上，三星、SK海力士和美光等存儲巨頭已經(jīng)發(fā)展到了HBM3E階段，并即將推出第四代HBM4。然而，中國半導體企業(yè)在這一領域的追趕步伐并未停歇。正如在許多技術領域一樣，一旦中國掌握了核心技術，趕超世界先進水平將只是時間問題。

此次中國半導體企業(yè)在HBM高帶寬內(nèi)存領域取得的重大進展，不僅彰顯了國內(nèi)半導體行業(yè)的整體實力，也為未來在AI人工智能和HPC高性能計算等領域的應用奠定了堅實的基礎。隨著技術的不斷突破和市場的不斷擴大，中國半導體行業(yè)有望在全球市場中占據(jù)更加重要的位置。