臺積電在近期舉辦的2025年北美技術研討會上，公布了一項令人矚目的消息：其最先進的N2芯片有望在今年下半年正式投入量產。這款芯片標志著臺積電在半導體工藝技術領域邁出了重要一步，它采用了全環(huán)繞柵極（GAA）納米片晶體管技術，是臺積電在該領域的首次嘗試。

目前，臺積電的N3家族已經(jīng)涵蓋了多款產品，包括已經(jīng)實現(xiàn)量產的N3和N3E，以及即將推出的N3P、N3X、N3A和N3C。然而，N2芯片的出現(xiàn)，無疑將為這個家族增添新的活力。N2作為臺積電全新的2nm工藝技術，不僅在性能和功耗上具有顯著優(yōu)勢，還能在相同功耗下提升10%-15%的速度，或在相同速度下降低20%-30%的功耗。

與現(xiàn)有的N3E相比，N2的性能提升幅度可達10%-15%，功耗降低25%-30%，同時晶體管的密度也增加了15%。這一突破性的進步，使得N2芯片在性能和能效方面均達到了新的高度。

臺積電透露，N2芯片的晶體管性能已經(jīng)接近預期目標，256Mb SRAM模塊的平均良率也超過了90%。隨著N2逐步走向量產，其工藝成熟度也將不斷提升。臺積電預計，在智能手機和高性能計算應用的推動下，N2技術在前兩年的流片數(shù)量將超越3nm和5nm技術，展現(xiàn)出強大的市場潛力。

臺積電還推出了N2P作為N2系列的擴展產品。N2P在N2的基礎上進一步提升了性能和功耗優(yōu)勢，并計劃于2026年實現(xiàn)投產。這一舉措不僅豐富了臺積電的產品線，也為未來半導體技術的發(fā)展奠定了堅實基礎。

在N2之后，臺積電將繼續(xù)向更先進的A16（1.6nm）節(jié)點邁進。A16采用了超級電軌架構，即背面供電技術，這種創(chuàng)新的設計將供電網(wǎng)絡移至晶圓背面，為正面提供了更多的布局空間，從而提升了芯片的邏輯密度和效能。與N2P相比，A16在相同電壓和設計下性能可提升8-10%，在相同頻率和晶體管數(shù)量下功耗下降15-20%，密度提升在1.07-1.10倍范圍內。

臺積電指出，A16最適合用于信號路由復雜且供電網(wǎng)絡密集的特定高性能計算（HPC）產品。這款芯片的量產計劃定于2026年下半年進行，屆時將為用戶帶來更加卓越的性能體驗。

臺積電還表示，N2、N2P、A16及其衍生產品將進一步鞏固其在半導體技術領域的領先地位，使公司能夠更好地把握未來增長機遇。這些創(chuàng)新產品的推出，不僅展示了臺積電在技術研發(fā)方面的強大實力，也為全球半導體產業(yè)的發(fā)展注入了新的活力。