日本京都即將迎來(lái)半導(dǎo)體行業(yè)的一大盛事——2025年超大規(guī)模集成電路研討會(huì)（VLSI Symposium），該會(huì)議定于6月8日至12日舉行。作為半導(dǎo)體界備受矚目的國(guó)際盛會(huì)，VLSI Symposium匯聚了來(lái)自全球的頂尖專(zhuān)家和學(xué)者。近日，會(huì)議官方提前揭曉了一系列即將發(fā)布的論文亮點(diǎn)，其中英特爾即將披露的18A制程技術(shù)細(xì)節(jié)尤為引人關(guān)注。

英特爾在其18A制程技術(shù)上取得了顯著進(jìn)展，相較于前代Intel 3制程，在性能、能效及面積（PPA）三大關(guān)鍵指標(biāo)上均實(shí)現(xiàn)了飛躍。據(jù)英特爾透露，在相同電壓（1.1V）和復(fù)雜度下，18A制程能將標(biāo)準(zhǔn)Arm核心子模塊的性能提升高達(dá)25%。同時(shí)，在保持相同頻率和電壓條件下，功耗降低了36%。即便在較低電壓（0.75V）狀態(tài)下，性能依然能提升18%，功耗降低38%。18A制程還實(shí)現(xiàn)了面積微縮，達(dá)到Intel 3制程的0.72倍，為芯片設(shè)計(jì)提供了更多靈活性。

英特爾18A制程的突破得益于兩大核心技術(shù)：RibbonFET和PowerVia。RibbonFET作為一種全環(huán)繞柵極（GAA）晶體管技術(shù)，相較于傳統(tǒng)的FinFET晶體管，提供了更高的驅(qū)動(dòng)電流和更低的漏電率，從而大幅提升了性能和能效。而PowerVia技術(shù)則是一種創(chuàng)新的背面供電網(wǎng)絡(luò)（BSPDN）方案，通過(guò)將供電線路轉(zhuǎn)移至芯片背面，顯著減少了正面的布線復(fù)雜度，進(jìn)一步提高了晶體管密度和性能。

在英特爾Vision 2025活動(dòng)上，英特爾高級(jí)副總裁、代工部門(mén)負(fù)責(zé)人Kevin O'Buckley宣布，18A制程已進(jìn)入風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)階段，并已向客戶交付硬件樣品進(jìn)行驗(yàn)證。據(jù)反饋，客戶對(duì)18A制程的表現(xiàn)非常滿意。英特爾正致力于實(shí)現(xiàn)18A制程的產(chǎn)能爬坡，以確保在技術(shù)成熟的同時(shí)滿足規(guī)?；a(chǎn)需求，并計(jì)劃在今年下半年實(shí)現(xiàn)最終量產(chǎn)。

在產(chǎn)品規(guī)劃方面，英特爾計(jì)劃在2025年下半年量產(chǎn)基于18A制程的客戶端處理器Panther Lake。而針對(duì)數(shù)據(jù)中心市場(chǎng)的Clearwater Forest產(chǎn)品系列，則預(yù)計(jì)將在2026年初實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)?；?8A制程的第三方芯片設(shè)計(jì)也取得了重要進(jìn)展，首款芯片預(yù)計(jì)將在2025年中期完成流片驗(yàn)證。