英特爾在近期舉辦的2025年VLSI研討會(huì)上，詳細(xì)披露了其最新的18A制程節(jié)點(diǎn)技術(shù)，標(biāo)志著半導(dǎo)體領(lǐng)域的又一大步邁進(jìn)。此番技術(shù)展示，明顯劍指臺(tái)積電2nm制程，競(jìng)爭(zhēng)態(tài)勢(shì)顯著。

英特爾18A制程技術(shù)的核心在于兩項(xiàng)革命性創(chuàng)新：RibbonFET環(huán)繞柵極晶體管和PowerVia背面供電技術(shù)。RibbonFET技術(shù)通過全環(huán)繞柵極設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)了對(duì)電流前所未有的精準(zhǔn)控制，進(jìn)而大幅提升了晶體管的性能和能效。而PowerVia技術(shù)更是業(yè)界的一大突破，它將供電線路巧妙地轉(zhuǎn)移到了芯片的背面，此舉不僅為正面布線騰出了更多空間，還顯著提高了單元封裝密度和電力傳輸?shù)姆€(wěn)定性。

在PPA（性能、功耗、面積）的衡量標(biāo)準(zhǔn)下，Intel 18A制程展現(xiàn)出了卓越的表現(xiàn)。在基于標(biāo)準(zhǔn)Arm核心架構(gòu)的芯片測(cè)試中，相較于以往，該制程在1.1V電壓下實(shí)現(xiàn)了25%的速度提升和36%的功耗降低。同時(shí)，其面積利用率也高于前代Intel 3制程，預(yù)示著更高的面積效率和更高密度設(shè)計(jì)的可能性。

市場(chǎng)分析顯示，Intel 18A制程的性能值達(dá)到了2.53，略高于臺(tái)積電的N2制程的2.27。盡管在晶體管密度方面，Intel 18A可能稍遜于臺(tái)積電，但憑借PowerVia背面供電技術(shù)的創(chuàng)新，Intel 18A在面積效率和電力傳輸穩(wěn)定性方面展現(xiàn)出了顯著優(yōu)勢(shì)。TechInsights的分析同樣證實(shí)了Intel 18A在性能上的領(lǐng)先地位。

據(jù)悉，英特爾計(jì)劃首先在Panther Lake SoC和面向高性能計(jì)算的Xeon Clearwater Forest產(chǎn)品中采用Intel 18A制程。市場(chǎng)預(yù)測(cè)，搭載該制程的終端產(chǎn)品最早將于2026年面世。若良率問題得以妥善解決，Intel 18A制程有望成為臺(tái)積電2nm制程的有力對(duì)手，并在云計(jì)算、人工智能等領(lǐng)域助力英特爾市場(chǎng)份額的進(jìn)一步增長(zhǎng)。