近日，全球領先的半導體制造設備供應商ASML推出的Twinscan EXE:5000 EUV光刻機，憑借其High-NA（高孔徑）技術，成為了當前半導體制造領域中最耀眼的明星。據(jù)悉，Intel已率先引入并部署了兩臺此型號的光刻機于其俄勒岡州的Fab D1晶圓廠內，目前正處于緊張的測試與研發(fā)階段。

Intel資深首席工程師Steve Carson透露，盡管這兩臺光刻機尚處于測試階段，但它們已成功生產(chǎn)出了3萬塊晶圓。這一數(shù)字雖不算龐大，但足以彰顯Intel對新技術的重視與投入。Steve Carson還進一步指出，與上一代光刻機相比，新款EUV光刻機在效率上實現(xiàn)了顯著提升，將原本需要3次的曝光次數(shù)減少至僅需1次，處理步驟也從40多個大幅縮減至不足10個，從而極大地節(jié)省了生產(chǎn)成本與時間。

據(jù)Intel透露，新款EUV光刻機的可靠性相較于上一代提升了約兩倍，盡管具體數(shù)據(jù)尚未公開。而在性能方面，ASML EXE:5000光刻機單次曝光的分辨率可達8nm，相較于前代Low-NA光刻機的13.5nm，提升幅度高達40%，同時晶體管密度也實現(xiàn)了2.9倍的增長。值得注意的是，雖然Low-NA光刻機同樣能夠達到8nm的分辨率，但需要兩次曝光，無論在時間、成本還是良品率方面，都顯得不夠經(jīng)濟高效。

在滿負荷生產(chǎn)狀態(tài)下，ASML EXE:5000光刻機每小時可生產(chǎn)400-500塊晶圓，而目前其生產(chǎn)速率僅為200塊，未來效率有望實現(xiàn)100%-150%的提升。這一提升對于半導體制造業(yè)而言，無疑是一個巨大的福音。

Intel計劃利用這款High-NA EUV光刻機生產(chǎn)14A工藝產(chǎn)品，即1.4nm級別的芯片。盡管具體的時間表和產(chǎn)品尚未確定，但有望在2026年左右實現(xiàn)量產(chǎn)，并可能應用于未來的Nova Lake、Razer Lake等系列產(chǎn)品中。這一舉措無疑將進一步鞏固Intel在半導體制造領域的領先地位。

與此同時，Intel的18A工藝產(chǎn)品，即1.8nm級別的芯片，也將在今年下半年實現(xiàn)量產(chǎn)。這一工藝仍將使用現(xiàn)有的Low-NA EUV光刻機進行生產(chǎn)，對應的產(chǎn)品包括代號為Panther Lake的下一代酷睿處理器以及代號為Clearwater Forest的下一代至強處理器。目前，這兩款產(chǎn)品均已通過全功能測試，并開展了客戶測試工作。