近期，IBM與日本頂尖芯片制造商Rapidus攜手，在國際電子器件領(lǐng)域的盛會(huì)——2024 IEEE IEDM會(huì)議上，共同展示了雙方合作研發(fā)的多閾值電壓GAA晶體管的最新成果。這一技術(shù)突破預(yù)示著Rapidus在2nm制程芯片量產(chǎn)方面邁出了重要一步。

隨著半導(dǎo)體工藝步入2nm時(shí)代，IBM指出，芯片制造技術(shù)迎來了前所未有的變革。傳統(tǒng)的FinFET（鰭式場效應(yīng)晶體管）結(jié)構(gòu)將被GAAFET（全環(huán)繞柵極場效應(yīng)晶體管）所取代。這一轉(zhuǎn)變雖然帶來了性能上的飛躍，但也為如何實(shí)現(xiàn)多閾值電壓（Multi Vt）提出了新的挑戰(zhàn)。多閾值電壓技術(shù)對于芯片在較低電壓下執(zhí)行復(fù)雜計(jì)算至關(guān)重要。

在2nm制程中，N型和P型半導(dǎo)體通道之間的距離極其狹窄，要求光刻技術(shù)達(dá)到前所未有的精度。IBM與Rapidus通過引入兩種獨(dú)特的選擇性減少層（SLR）芯片構(gòu)建工藝，成功地在不影響半導(dǎo)體性能的前提下，實(shí)現(xiàn)了多閾值電壓的目標(biāo)。這一成就標(biāo)志著2nm芯片制造技術(shù)的重大進(jìn)步。

IBM研究院的高級技術(shù)人員Bao Ruqiang對此表示：“與FinFET相比，Nanosheet納米片的結(jié)構(gòu)更為復(fù)雜，但也更為先進(jìn)。我們開發(fā)的新生產(chǎn)工藝不僅簡化了制造流程，還提高了可靠性，這為Rapidus在2納米片技術(shù)上實(shí)現(xiàn)大規(guī)模生產(chǎn)鋪平了道路?！?/p>

Bao Ruqiang進(jìn)一步解釋，新生產(chǎn)工藝的簡化將使得Rapidus在制造2nm芯片時(shí)更加得心應(yīng)手，從而加速這一先進(jìn)技術(shù)的商業(yè)化進(jìn)程。

此次合作不僅展示了IBM和Rapidus在半導(dǎo)體技術(shù)研發(fā)方面的深厚實(shí)力，也預(yù)示著全球芯片制造業(yè)即將迎來新的變革。隨著2nm制程技術(shù)的不斷成熟，未來的芯片將更加高效、節(jié)能，為科技行業(yè)的持續(xù)發(fā)展注入新的活力。

IBM與Rapidus的成功合作也為其他芯片制造商樹立了榜樣，展示了通過國際合作與創(chuàng)新，可以共同克服半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展的難題，推動(dòng)整個(gè)行業(yè)的進(jìn)步。

隨著2nm制程技術(shù)的逐步應(yīng)用，未來的電子產(chǎn)品將擁有更加強(qiáng)大的性能和更低的能耗，為人們的生活和工作帶來更加便捷和高效的體驗(yàn)。