近期，據(jù)韓國科技媒體SE Daily報道，三星電子在DRAM內(nèi)存技術(shù)領(lǐng)域的戰(zhàn)略規(guī)劃有了新的動向。據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露，三星電子內(nèi)部已經(jīng)制定了一項(xiàng)路線圖，計劃在第七代10nm級DRAM內(nèi)存工藝（即1d nm）之后，引入VCT（垂直通道晶體管）技術(shù)。

據(jù)了解，三星電子在決定下一代DRAM工藝方向時，曾在1e nm和VCT DRAM兩種方案之間猶豫不決。最終，三星電子選擇了VCT DRAM這一被認(rèn)為具有“顛覆性”潛力的技術(shù)路徑，并將原本致力于1e nm技術(shù)研究的團(tuán)隊整合到了1d nm團(tuán)隊中，以加速1d nm技術(shù)的研發(fā)進(jìn)程。

盡管VCT DRAM技術(shù)通過充分利用三維空間，有望大幅提升存儲密度，但其開發(fā)難度也不容小覷。該技術(shù)不僅需要突破傳統(tǒng)內(nèi)存技術(shù)的限制，還需要采用目前尚未在DRAM中應(yīng)用的先進(jìn)封裝工藝，這無疑為三星電子的研發(fā)團(tuán)隊帶來了巨大的挑戰(zhàn)。

與此同時，三星電子在DRAM業(yè)務(wù)領(lǐng)域的最大競爭對手SK海力士也在積極規(guī)劃其未來技術(shù)路徑。據(jù)透露，SK海力士的大致規(guī)劃是從1d nm技術(shù)過渡到0a nm技術(shù)，并最終實(shí)現(xiàn)其所謂的VG DRAM（即3D DRAM）的商業(yè)化。SK海力士的這一規(guī)劃顯示出其在DRAM技術(shù)領(lǐng)域的持續(xù)創(chuàng)新和進(jìn)取。