在近期于臺(tái)積電北美技術(shù)研討會(huì)上，SK海力士成為全場(chǎng)焦點(diǎn)，獨(dú)家展示了其突破性的HBM4技術(shù)，并借此機(jī)會(huì)推介了多款前沿產(chǎn)品。

SK海力士在HBM4內(nèi)存領(lǐng)域的領(lǐng)先地位尤為顯著，據(jù)可靠消息透露，該公司已完成了HBM4的商業(yè)版本開發(fā)，而行業(yè)內(nèi)的其他巨頭，如美光和三星，目前仍停留在樣品測(cè)試階段。這一進(jìn)展無疑為SK海力士贏得了寶貴的時(shí)間窗口。

詳細(xì)介紹顯示，SK海力士的HBM4內(nèi)存具備驚人的48GB容量，其帶寬高達(dá)2.0TB/s，I/O速度更是達(dá)到了8.0Gbps。SK海力士已明確表示，計(jì)劃在2025年下半年正式投入量產(chǎn)。這一時(shí)間表意味著，我們有望在年底前看到搭載HBM4技術(shù)的產(chǎn)品問世。

除了HBM4技術(shù)的驚艷亮相，SK海力士還帶來了另一項(xiàng)創(chuàng)新——全球首個(gè)16層HBM3E技術(shù)。這項(xiàng)技術(shù)憑借1.2TB/s的帶寬，展現(xiàn)了SK海力士在多層堆疊技術(shù)上的深厚積累。據(jù)稱，SK海力士通過引入先進(jìn)的MR-MUF和TSV技術(shù)，成功實(shí)現(xiàn)了如此高的堆疊層數(shù)。

SK海力士的16層HBM3E技術(shù)已被英偉達(dá)選中，用于其GB300“Blackwell Ultra”AI集群。而英偉達(dá)也透露了未來在Vera Rubin項(xiàng)目中升級(jí)到HBM4的打算，這無疑進(jìn)一步鞏固了SK海力士在高端內(nèi)存市場(chǎng)的領(lǐng)先地位。

SK海力士還展示了其豐富的服務(wù)器內(nèi)存模塊產(chǎn)品線，包括基于全新1c DRAM標(biāo)準(zhǔn)制造的RDIMM和MRDIMM產(chǎn)品。這些產(chǎn)品的速度可達(dá)12500MB/s，為數(shù)據(jù)中心和AI應(yīng)用提供了強(qiáng)大的性能支持。

SK海力士詳細(xì)介紹道，其MRDIMM產(chǎn)品線包括速度為12.8Gbps、容量分別為64GB、96GB和256GB的多種規(guī)格；而RDIMM模塊則提供了速度為8Gbps、容量為64GB和96GB的選項(xiàng)；還有256GB的3DS RDIMM產(chǎn)品，進(jìn)一步豐富了服務(wù)器的內(nèi)存選擇。