在科技領(lǐng)域的一次重大突破中，全球存儲領(lǐng)域的領(lǐng)頭羊三星，竟然選擇了與中國長江存儲合作，引進(jìn)了后者的專利技術(shù)來研發(fā)其下一代產(chǎn)品。這一舉動迅速產(chǎn)生了顯著成果——三星宣布成功研發(fā)出基于長江存儲技術(shù)的第十代V-NAND閃存，堆疊層數(shù)高達(dá)400多層。

長久以來，三星與其他傳統(tǒng)閃存制造商一樣，采用在同一塊晶圓上制造CMOS控制電路和存儲陣列的方式。然而，隨著堆疊層數(shù)和存儲密度的不斷攀升，這種傳統(tǒng)架構(gòu)面臨著越來越大的挑戰(zhàn)。長江存儲的Xtacking晶棧架構(gòu)則采用了截然不同的方法：控制電路和存儲陣列分別在兩塊晶圓上制造，然后再進(jìn)行鍵合。這一創(chuàng)新不僅降低了制造難度和成本，還為未來的技術(shù)升級開辟了新途徑。

三星的第十代V-NAND閃存正是引入了這一設(shè)計，從而實現(xiàn)了技術(shù)上的飛躍。值得注意的是，鎧俠/閃迪在其第八代到最新的第十代閃存中也采用了類似的架構(gòu)，這進(jìn)一步證明了長江存儲技術(shù)的先進(jìn)性和市場認(rèn)可度。

長江存儲的晶棧架構(gòu)以其獨特的設(shè)計理念和顯著的優(yōu)勢，在全球范圍內(nèi)引起了廣泛關(guān)注。與此同時，鎧俠的最新架構(gòu)也展示了該領(lǐng)域技術(shù)的快速發(fā)展。

三星的第十代V-NAND閃存不僅在堆疊層數(shù)上實現(xiàn)了突破，達(dá)到了前所未有的高度（具體數(shù)字雖未公開，但已遠(yuǎn)超當(dāng)前記錄），還在其他方面展現(xiàn)出了強(qiáng)大的性能。該閃存采用TLC技術(shù)，單Die容量高達(dá)1Tb（128GB），存儲密度達(dá)到每平方毫米28Gb。盡管在存儲密度上略低于三星自家的1Tb QLC顆粒，也遠(yuǎn)不及鎧俠第十代的大約每平方毫米36.4Gb，但三星顯然更看重堆疊層數(shù)的提升。在接口傳輸速度方面，該閃存達(dá)到了5600MT/s，即700MB/s，領(lǐng)先業(yè)界。

這一速度優(yōu)勢意味著，僅需10顆芯片就能充分利用PCIe 4.0 x4接口的帶寬，20顆芯片則能滿足PCIe 5.0 x4的需求，而32顆芯片更是能輕松應(yīng)對PCIe 6.0 x4的高帶寬要求?？紤]到大多數(shù)NAND閃存芯片都是由8顆或16顆Die封裝而成，因此，通過合理的封裝設(shè)計，可以實現(xiàn)單顆芯片2TB的容量，M.2 SSD單面容量更是可達(dá)8TB，雙面則能達(dá)到驚人的16TB（盡管由于兼容性問題，雙面設(shè)計并不多見）。

三星對于未來的規(guī)劃更是雄心勃勃，他們計劃在2030年左右實現(xiàn)1000層的堆疊技術(shù)，這將進(jìn)一步鞏固其在全球存儲領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。