近期，半導(dǎo)體領(lǐng)域的兩大巨頭臺(tái)積電與英特爾的工藝技術(shù)再次成為業(yè)界關(guān)注的焦點(diǎn)。TechInsights與SemiWiki兩大研究機(jī)構(gòu)發(fā)布了關(guān)于臺(tái)積電N2 2nm工藝與英特爾18A 1.8nm工藝的詳細(xì)對(duì)比，揭示了兩者在不同方面的獨(dú)特優(yōu)勢。

值得注意的是，由于目前官方公布的資料尚不完整，且各大廠商的工藝技術(shù)各具特色，難以直接進(jìn)行優(yōu)劣評(píng)判。因此，以下內(nèi)容僅供讀者參考，實(shí)際表現(xiàn)還需等待具體產(chǎn)品的問世。

英特爾方面宣布，其18A工藝進(jìn)展順利，預(yù)計(jì)將在今年下半年正式投入量產(chǎn)。首款采用該工藝的產(chǎn)品代號(hào)為Panther Lake，主要針對(duì)筆記本移動(dòng)市場。而臺(tái)積電N2工藝同樣計(jì)劃在今年下半年實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)，首發(fā)客戶依然是蘋果，AMD的Zen6系列預(yù)計(jì)也將采用該工藝。

在晶體管密度方面，臺(tái)積電N2工藝展現(xiàn)出了顯著優(yōu)勢。據(jù)研究顯示，其高密度標(biāo)準(zhǔn)單元(HD standard-cell)的晶體管密度達(dá)到了每平方毫米3.13億個(gè)，相比之下，英特爾18A工藝的晶體管密度為每平方毫米2.38億個(gè)，三星的SF2工藝則為每平方毫米2.31億個(gè)。然而，這僅僅是從標(biāo)準(zhǔn)單元晶體管的角度進(jìn)行的統(tǒng)計(jì)，實(shí)際應(yīng)用中，各大工藝節(jié)點(diǎn)都有其獨(dú)特的設(shè)計(jì)。

性能方面，TechInsights認(rèn)為，英特爾18A工藝相較于臺(tái)積電N2和三星SF2具有優(yōu)勢，但這一結(jié)論同樣取決于具體產(chǎn)品。不過，TechInsights的計(jì)算方法也引發(fā)了一些質(zhì)疑，因?yàn)槠涫腔谂_(tái)積電N16FF 16nm和三星14nm作為基準(zhǔn)，再根據(jù)各自宣布的提升幅度計(jì)算得出的，因此存在一定的偏差。

英特爾18A工藝引入了PowerVia背部供電技術(shù)，這一創(chuàng)新技術(shù)有望大幅提升晶體管密度和性能，而臺(tái)積電N2工藝則未采用該技術(shù)。

在功耗方面，TechInsights的分析指出，臺(tái)積電N2工藝相較于三星SF2工藝更為省電，能效表現(xiàn)也是臺(tái)積電的一貫強(qiáng)項(xiàng)。至于英特爾方面，目前尚需進(jìn)一步觀察，但預(yù)計(jì)其表現(xiàn)不會(huì)太差。

臺(tái)積電N2工藝與英特爾18A工藝各有千秋，未來誰能更勝一籌，還需等待市場的檢驗(yàn)。但無論結(jié)果如何，這場技術(shù)競賽無疑將推動(dòng)半導(dǎo)體行業(yè)向更高層次發(fā)展。