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芯片成本飆升,高通聯(lián)發(fā)科明年2nm新機或?qū)⒂瓉頋q價潮?

   發(fā)布時間:2025-04-17 17:19 作者:楊凌霄

近期,科技圈內(nèi)傳來消息,蘋果、高通及聯(lián)發(fā)科三大科技巨頭已確定將采用臺積電的2nm制程技術(shù)于明年推出新品。這一決策預(yù)示著,隨著技術(shù)的進(jìn)一步升級,相關(guān)新機的成本或?qū)⒂瓉盹@著提升,市場上或?qū)⒂瓉硇乱惠喌膬r格上漲。

回顧去年,國產(chǎn)品牌曾因高通驍龍8 Elite與聯(lián)發(fā)科天璣9400芯片采用臺積電3nm工藝而集體上調(diào)了價格。彼時,REDMI總經(jīng)理王騰曾對此作出解釋,指出漲價的主要原因有兩點:一是旗艦處理器升級至最新的3nm制程,工藝成本大幅增加;二是內(nèi)存與存儲成本在過去一年中持續(xù)攀升,已達(dá)到最高點,因此大內(nèi)存版本的漲幅更為顯著。

步入新的一年,科技巨頭們并未停止前進(jìn)的腳步。據(jù)悉,高通驍龍8 Elite 3與聯(lián)發(fā)科天璣9600等芯片都將升級為臺積電全新的2nm制程技術(shù),這無疑將再度推高生產(chǎn)成本。業(yè)內(nèi)分析認(rèn)為,這一變化或?qū)⒁l(fā)終端旗艦產(chǎn)品的新一輪漲價潮。

臺積電的2nm制程技術(shù)備受矚目,其首次引入了Gate-all-around FETs(GAAFET)晶體管技術(shù),并結(jié)合NanoFlex技術(shù),為芯片設(shè)計人員提供了前所未有的標(biāo)準(zhǔn)元件靈活性。相較于當(dāng)前的N3E工藝,N2工藝在相同功率下預(yù)計可實現(xiàn)10%至15%的性能提升,或在相同頻率下將功耗降低25%至30%。這一技術(shù)突破無疑將為用戶帶來更為出色的使用體驗。

然而,技術(shù)的升級往往伴隨著成本的增加。據(jù)透露,臺積電每片300mm的2nm晶圓報價可能超過3萬美元,而當(dāng)前3nm晶圓的價格則在1.85萬至2萬美元之間。這一價格差異無疑將對終端產(chǎn)品的定價產(chǎn)生深遠(yuǎn)影響。

面對即將到來的價格上漲,消費者或許需要提前做好心理準(zhǔn)備。不過,從另一方面來看,技術(shù)的不斷升級也將為用戶帶來更為出色的產(chǎn)品性能和使用體驗。因此,在價格上漲的同時,我們也期待看到更多創(chuàng)新技術(shù)的涌現(xiàn)。

 
 
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