復(fù)旦大學(xué)在集成電路領(lǐng)域取得了又一重大進(jìn)展，這一消息引起了業(yè)界的廣泛關(guān)注。據(jù)悉，該校的研究團(tuán)隊(duì)在二維半導(dǎo)體芯片研究取得成果后，僅隔兩周，便再次宣布了關(guān)鍵性的技術(shù)突破。

復(fù)旦大學(xué)周鵬與劉春森教授帶領(lǐng)的團(tuán)隊(duì)，通過精心構(gòu)建的準(zhǔn)二維泊松模型，成功在理論上預(yù)測(cè)了超注入現(xiàn)象，這一發(fā)現(xiàn)打破了當(dāng)前存儲(chǔ)速度的理論上限。基于這一理論，他們研制出了名為“破曉（PoX）”的皮秒閃存器件，標(biāo)志著存儲(chǔ)技術(shù)的全新里程碑。

“破曉”皮秒閃存器件的擦寫速度驚人，達(dá)到了亞1納秒級(jí)別，即400皮秒，這意味著每秒可執(zhí)行的操作次數(shù)高達(dá)25億次。這一性能表現(xiàn)不僅超越了當(dāng)前同技術(shù)節(jié)點(diǎn)下的世界最快易失性存儲(chǔ)SRAM技術(shù)，更是將存儲(chǔ)速度推向了一個(gè)全新的高度。

這一突破性成果已被《自然》期刊收錄，并以《亞納秒超注入閃存》為題發(fā)表。文章詳細(xì)闡述了團(tuán)隊(duì)如何通過理論預(yù)測(cè)與實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證相結(jié)合的方式，成功研制出這一革命性的存儲(chǔ)器件。

據(jù)專家介紹，“破曉”技術(shù)是目前世界上最快的半導(dǎo)體電荷存儲(chǔ)技術(shù)，其存儲(chǔ)與計(jì)算速度相當(dāng)，這一特性有望徹底顛覆現(xiàn)有的存儲(chǔ)器架構(gòu)。在完成規(guī)?；珊?，該技術(shù)將帶來存儲(chǔ)領(lǐng)域的深刻變革。

更為引人注目的是，“破曉”技術(shù)還為未來個(gè)人電腦的發(fā)展提供了新的可能。一旦該技術(shù)得以廣泛應(yīng)用，個(gè)人電腦將不再區(qū)分內(nèi)存和外存，無需分層存儲(chǔ)，這將極大地提升電腦的運(yùn)行效率和用戶體驗(yàn)。該技術(shù)還有望實(shí)現(xiàn)AI大模型的本地部署，為人工智能的普及和應(yīng)用開辟新的道路。

目前，復(fù)旦大學(xué)團(tuán)隊(duì)已將“破曉”技術(shù)與CMOS相結(jié)合，成功打造出了Kb級(jí)芯片，并已完成流片。接下來，他們計(jì)劃在未來3-5年內(nèi)將芯片集成到幾十兆的水平，并尋求與企業(yè)的合作，以推動(dòng)該技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程。