【沃資訊】3月23日消息，近日在英偉達GTC 2024大會上，美光公司驚艷亮相，向全球展示了其最新研發(fā)的256GB單條MCRDIMM DDR5-8800內(nèi)存模塊。這款高性能內(nèi)存模塊，被美光特別定位為滿足英特爾Xeon Scalable Granite Rapids等未來服務(wù)器系統(tǒng)的嚴苛需求。

據(jù)沃資訊了解，這款256GB內(nèi)存的運行速度高達8800 MHz，專為1U服務(wù)器系統(tǒng)設(shè)計，采用了先進的32-gigabit DDR5芯片技術(shù)。這款內(nèi)存模塊在設(shè)計上每面集成了40個內(nèi)存芯片，展現(xiàn)出了極高的集成度和技術(shù)含量。盡管擁有如此強大的性能，但其功耗卻控制得相當出色，一條256GB MCRDIMM DDR5-8800內(nèi)存模塊的功耗僅為約20W。相比之下，美光之前發(fā)布的DDR5-4800規(guī)格128GB DDR5-8000 RDIMM模塊的功耗為10W，新款內(nèi)存在功耗上的表現(xiàn)已經(jīng)有了顯著的提升。

MCRDIMM，全名為Multiplexer Combined Ranks DIMMs(多路合并陣列雙列直插內(nèi)存模組)，是一種創(chuàng)新的內(nèi)存模組設(shè)計，它能夠?qū)⒍鄠€DRAM組合在一起，并同時運行兩個內(nèi)存列，從而大大提高了內(nèi)存的速率和處理能力。美光的這款新產(chǎn)品無疑是MCRDIMM技術(shù)的一次重大突破。

從曝光的資料來看，DDR5 MRDIMM的發(fā)展前景十分廣闊。第一代產(chǎn)品的速率就已經(jīng)達到了8800 MT/s，而第二代產(chǎn)品更是將速率提升至12800 MT/s。據(jù)預(yù)測，到了2030年，第三代DDR5 MRDIMM的速率將有望提升至驚人的17600 MT/s。這樣的性能提升，無疑將為未來的服務(wù)器系統(tǒng)、云計算和大數(shù)據(jù)處理等領(lǐng)域帶來革命性的變革。

美光此次展示的256GB MCRDIMM DDR5-8800內(nèi)存模塊，不僅彰顯了其在內(nèi)存技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先實力，也為全球服務(wù)器市場的發(fā)展注入了新的活力。隨著技術(shù)的不斷進步和市場需求的日益增長，我們有理由相信，美光將繼續(xù)引領(lǐng)內(nèi)存技術(shù)的發(fā)展潮流，為全球用戶帶來更多創(chuàng)新和高性能的產(chǎn)品。